I nuovi MOSFET SiC in package a 4 pin di ROHM

ROHM ha comunicato la disponibilità di sei nuovi MOSFET SiC a struttura trench gate (650 V/1200 V) che si avvale di un package a 4 pin (TO-247-4L).

La famiglia è quella siglata SCT3xxx xR-Serie e il package utilizzato contribuisce a ridurre la perdita di commutazione fino al 35% rispetto ai modelli con package a 3 pin convenzionali (TO-247N).

Questi MOSFET SiC sono utilizzabili per alimentatori per server, sistemi UPS, inverter per fotovoltaico e stazioni di ricarica per veicoli elettrici che necessitano di elevata efficienza.

ROHM propone anche soluzioni che agevolano la valutazione delle applicazioni, compresa un’evaluation board per MOSFET SiC (P02SCT3040KR-EVK-001) munita di circuiti integrati per gate driver (BM6101FV-C) unitamente a circuiti integrati di potenza multipli e a componenti discreti ottimizzati per il pilotaggio di dispositivi SiC. La compatibilità con entrambi i tipi di package, ossia TO-247-4L e TO-247N, consente la valutazione di entrambi i package applicando le stesse condizioni. La scheda è utilizzabile per il test a doppio impulso e per la valutazione dei componenti nei circuiti boost, nei circuiti per inverter a 2 livelli e nei circuiti buck con rettifica sincrona.

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