I nuovi dispositivi GaN HEMT da 150 V di ROHM

ROHM ha avviato la produzione di dispositivi GaN HEMT da 150 V della serie GNE10xxTB (GNE1040TB) caratterizzati da una tensione di gate di 8 V. Questo valore li rende interessanti per circuiti di alimentatori per apparecchiature industriali come centri di elaborazione dati, Base station e dispositivi IoT.

Questi nuovi prodotti utilizzano una struttura originale che ha permesso di aumentare la tensione gate-source nominale dai tradizionali 6 V a 8 V. Di conseguenza si evita il deterioramento, anche nel caso in cui si verifichino overshoot superiori a 6 V in fase di commutazione, contribuendo ad un miglior margine di design e a una più elevata affidabilità nei circuiti di alimentatori. La serie GNE10xxTB è disponibile in un package altamente versatile dotato di elevata capacità di dissipazione del calore e di un’ampia capacità di corrente, facilitando la gestione in fase di montaggio.

ROHM ha dichiarato che in futuro continuerà a sviluppare circuiti integrati di controllo che sfruttano tecnologia di alimentazione analogica come Nano Pulse Control e moduli che integrano questi circuiti, insieme a soluzioni di potenza che contribuiscono a una società sostenibile massimizzando le prestazioni dei dispositivi GaN.

Il professor Masayoshi Yamamoto, Graduate School of Engineering, Università di Nagoya ha precisato che quest’anno il Ministero dell’Economia, del Commercio e dell’Industria (METI) del Giappone ha stabilito un obiettivo del 30% in termini di risparmio energetico per i centri di elaborazione dati di nuova realizzazione da qui al 2030 – meno di 10 anni a partire da ora. Tuttavia le prestazioni del sistema devono non solo essere efficienti dal punto di vista energetico, ma anche robuste e stabili in quanto sono diventate una componente essenziale della nostra infrastruttura sociale.

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