I FET di UnitedSiC disponibili da Mouser

Mouser Electronics ha integrato nella sua offerta i FET UF4C e UF4SC 1200 V in carburo di silicio (SiC) di UnitedSiC (ora Qorvo). Questa famiglia di dispositivi di quarta generazione è utilizzabile per soluzioni di potenza in architetture bus tipiche da 800 V in applicazioni quali i caricabatterie a bordo dei veicoli elettrici, i caricabatterie industriali, gli alimentatori industriali, gli inverter solari DC-DC e altre.

I FET SiC da 1200 V sono disponibili in versioni con valori di resistenza in conduzione (RDS(on)) da 23 mΩ a 70 mΩ e in un package TO-247-3L a tre conduttori o TO-247-4L a quattro conduttori.

Tutti i dispositivi della famiglia UF4C/SC possono essere utilizzati in modo sicuro con una tensione di pilotaggio di gate standard da 0 V a 12 V o 15 V, dando luogo a una sostituzione adeguata degli IGBT, dei FET o dei dispositivi a supergiunzione in silicio senza modificare la tensione di pilotaggio del gate. Altre caratteristiche di rilievo dei FET SiC UF4C/SC sono il margine di rumore di soglia preservato con una tensione di soglia di 5 V reali, il recupero inverso e il morsetto di protezione del gate ESD integrato.

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