Da Toshiba un nuovo MOSFET U-MOS XH da 150 V ad alte prestazioni

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TPH9R00CQ5 è un nuovo MOSFET di potenza a canale N da 150V di Toshiba Electronics Europe. Questo componente, basato sul processo U-MOS XH Trench di ultima generazione, è stato progettato specificamente per l’uso negli alimentatori a commutazione ad alte prestazioni.

Tra le principali caratteristiche tecniche ci sono una VDSS massima di 150 V, una corrente operativa (ID) di 64 A e una resistenza di on (RDS(ON)) al terminale drain-source pari a 9,0mΩ (max).

Grazie all’integrazione di un diodo di body ad alta velocità, il nuovo TPH9R00CQ5 riduce la carica di recupero inverso (Qrr) di circa il 74% (a 34nC tipici) rispetto a un dispositivo esistente come il modello TPH9R00CQH. Inoltre, il tempo di ripristino inverso (trr) di 40ns rappresenta un miglioramento di oltre il 40% rispetto ai dispositivi precedenti.

Insieme a una carica di gate (Qg) di 44 nC, questi miglioramenti contribuiscono in modo significativo alla riduzione delle perdite e all’aumento della densità di potenza nelle soluzioni di alimentazione ad alte prestazioni e ad alta efficienza.

Il nuovo dispositivo inoltre limita i picchi di tensione creati durante la commutazione, migliorando così le caratteristiche EMI dei progetti e riducendo la necessità di filtraggio.

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