Da Toshiba un nuovo IGBT da 1350 V per gli elettrodomestici

Toshiba Electronics Europe ha presentato un nuovo IGBT discreto da 1350 V per l’uso in applicazioni come gli elettrodomestici che sfruttano il riscaldamento a induzione, per esempio fornelli e forni a microonde.

Siglato GT20N135SRA, il nuovo IGBT è caratterizzato da una tensione di saturazione collettore-emettitore (VCE (sat)) di 1,60 V (tipica) e una tensione diretta del diodo (VF) di 1,75 V, che rappresentano rispettivamente una riduzione del 10% e del 21% rispetto ai valori dei prodotti convenzionali.

Poiché sia l’IGBT che il diodo presentano caratteristiche migliorate relative alle perdite ad alta temperatura (TC=100℃), il dispositivo assicura un funzionamento più efficiente.

Inoltre, un valore migliore relativo alla resistenza termica massima tra giunzione e case (Rth(j-c)) pari a 0,48 ℃/W consente di semplificare la progettazione termica rispetto ai prodotti esistenti.

L’area operativa di sicurezza (SOA) è stata ampliata, il che significa che l’IGBT ha meno probabilità di guasto, fornendo così maggiore flessibilità ai progettisti.

Alloggiato in un package TO-247 standard, il nuovo dispositivo supporta una corrente massima di collettore (IC) di 40 A, che si riduce per deriva termica a 20 A a 100 ℃.

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