CGD sigla un accordo sul GaN con Chicony Power e Cambridge University Technical Services

L’azienda fabless Cambridge GaN Devices (CGD), specializzata in dispositivi di potenza al nitruro di gallio (GaN), ha siglato un accordo con l’azienda taiwanese Chicony Power Technology e con l’impresa britannica Cambridge University Technical Services (CUTS) per progettare e sviluppare adattatori ad alta densità di potenza e alimentatori per data center utilizzando la tecnologia GaN.

Recentemente CGD ha realizzato la seconda serie della famiglia di HEMT (high-electron-mobility-transistor) al nitruro di gallio da 650 V ICeGaN, che impiegano l’interfaccia di gate  sviluppata da CGD che elimina pressoché del tutto il tipico punto debole dei transistor al GaN funzionanti in modalità di arricchimento (“e-mode”), offrendo una affidabilità contro le sovratensioni notevolmente migliorata, soglia più alta di immunità al rumore, soppressione del transitorio dV/dt e protezione contro la scarica elettrostatica.

Giorgia Longobardi, Amministratrice Delegata di CGD, ha dichiarato:”Chicony Power è uno dei principali produttori di alimentatori a commutazione al mondo e quindi questo accordo rappresenta una straordinaria pietra miliare nel cammino di CGD volto a fornire una tecnologia per dispositivi di alimentazione efficienti sia ai nostri clienti che alla società in generale. La combinazione dei punti di forza delle nostre aziende, insieme al gruppo HVMS presso l’Università di Cambridge, rinomato a livello globale, accelereranno lo sviluppo e l’adozione di soluzioni per alimentazione ad alta densità di energia in una vasta gamma di applicazioni”.

Peter Tseng, Presidente di Chicony Power Technology ha affermato: “Chicony Power intende collaborare con CGD e HVMS a causa del loro notevole know-how nel settore del GaN. CGD ha già realizzato la seconda serie dei suoi HEMT ICeGaN che offrono prestazioni ineguagliate in termini di affidabilità e facilità d’uso. E grazie alle sue radici e ai legami ancora solidi stretti con l’Università di Cambridge, CGD può avvalersi di 25 anni di esperienza nell’ambito della ricerca universitaria – un periodo di tempo più lungo rispetto a molte altre aziende affermate nel settore del GaN”.

Contenuti correlati

• 
  Mouser: i vantaggi dell’elettronica di potenza basata su GaN

  Mouser Electronics ha recentemente pubblicato un nuovo eBook, realizzato in collaborazione con Analog Devices (ADI) e Bourns, che illustra le sfide e i vantaggi offerti dalla tecnologia al nitruro di gallio (GaN), con l’obiettivo di ottenere una...
• 
  ROHM e TSMC collaborano per lo sviluppo della tecnologia GaN per l’automotive

  La nuova partnership strategica tra ROHM e TSMC è focalizzata sullo sviluppo e la produzione in serie di dispositivi di potenza al nitruro di gallio (GaN) destinati ad applicazioni per veicoli elettrici. Il contributo di ROHM sarà...
• 
  CGD collabora con IFPEN per la tecnologia GaN

  Cambridge GaN Devices (CGD) ed Energies nouvelles (IFPEN) hanno sviluppato un demo che evidenzia il vantaggi delle soluzioni GaN da 650 V CGD ICeGaN in un inverter da 800 V CC multilivello. La demo è caratterizzata da...
• 
  Partnership tra CGD e qorvo per il controllo di motori elettrici

  Cambridge GaN Devices(CGD) e Qorvo hanno siglato una partnership finalizzata a combinare tecnologie avanzate per l’efficienza della generazione di potenza e il controllo di motori elettrici nel kit di valutazione (EVK) PAC5556A + ICeGaN. Andrea Bricconi, Direttore...
• 
  Innoscience amplia la gamma di dispositivi GaN

  Innoscience Technology ha aggiunto alla sua offerta due nuovi dispositivi con tecnologia GaN da 100V per il mercato automotive. I dispositivi sono siglati rispettivamente INN100W135A-Q (RDS(on),max = 13,5 mΩ) e INN100W800A-Q (RDS(on),max = 80 mΩ) e sono...
• 
  Usare dispositivi GaN per ridurre le dimensioni degli alimentatori c.a./c.c. medicali esterni  

  Oltre a soddisfare i severi standard in vigore nel settore medicale, gli alimentatori c.a./c.c. di XP Power utilizzano dispositivi GaN che permettono di dimezzare le dimensioni rispetto ad analoghi prodotti basati sui classici dispositivi in silicio Leggi...
• 
  Il GaN nella progettazione di alimentatori: vantaggi e sfide

  I transistor GaN aprono la strada allo sviluppo di progetti di alimentatori caratterizzati da efficienze più elevate, densità di potenza maggiori e fattori di forma più ridotti Leggi l’articolo completo su EO Power 35
• 
  I dispositivi GaN di Innoscience a PCIM 2024

  Innoscience Technology parteciperà a PCIM 2024, il principale evento europeo dedicato all’elettronica di potenza, presentando una gamma completa di attività e soluzioni basate sul GaN. Presso lo standa sarà infatti possibile vedere la sua gamma di dispositivi...
• 
  Vincotech a PCIM 2024

  Vincotech torna a PCIM con le sue più recenti tecnologie e innovazioni, tra cui quelle basate su GaN e molti altri prodotti per il controllo del movimento, energie rinnovabili e alimentazione. A questa edizione della manifestazione sarà...
• 
  Analog Devices: un nuovo driver per il controllo dei FET GaN

  LT8418 è un nuovo driver GaN half-bridge da 100 V di Analog Devices progettato per semplificare l’implementazione dei FET GaN. Questo componente può essere configurato in topologie sincrone half-bridge e full-bridge, oppure in topologie buck, boost e...