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che rappresentano l’80% del
mercato, anche in futuro (al-
meno fino al 2020) saranno i
dispositivi più impiegati nelle
maggiori aree applicative, che
comprendono i veicoli elettrici
e ibridi (EV/HEV), i gruppi di
continuità (UPS) e gli aziona-
menti per motori.
Grazie agli inverter per il foto-
voltaico, anche per i transistor
SiC le previsioni sono buone,
mentre per l’adozione di so-
luzioni basate su SiC negli in-
verter destinati al power train
dei veicoli elettrici bisognerà
avere ancora pazienza. Com-
plessivamente, i dispositivi SiC
genereranno un fatturato pari
a 436 milioni di dollari entro il
2020.
Passando alla tecnologia GaN,
il suo potenziale di crescita (in
termini di TAM disponibile) è
molto alto, anche se diretta-
mente legato a due impor-
tanti fattori. In primis, bisogna
vedere il tasso di espansione
delle applicazioni emergenti
a bassa tensione basate su
dispositivi GaN e la “quantità”
di dispositivi GaN che saranno
impiegati nelle suddette appli-
cazioni. Il secondo aspetto da
considerare è l’effettiva pene-
trazione sul mercato dei dispo-
sitivi GaN da 600V.
Yole Développement ha pre-
visto due scenari per il mer-
cato dei dispositivi GaN fino
al 2020. L’analisi si basa sul
tasso di penetrazione della
tecnologia GaN in diverse ap-
plicazioni, tra cui la conversio-
ne DC-DC, sistemi Lidar, ET
(Envelope Tracking), alimenta-
zione wireless, PFC...
Secondo il primo scenario, a
crescita ‘normale’ la dimensio-
ne del mercato dei dispositivi
GaN sarà di 303 milioni nel
2020. Nello scenario accele-
rato, invece, dove si immagina
che sarà rapidamente adottata
la tecnologia GaN anche nei
dispositivi a bassa tensione e
a 600V, la cifra è decisamente
più alta e nel 2020 il mercato
dovrebbe essere di 560 milio-
ni di dollari. A far da traino al
mercato saranno applicazioni
emergenti, come l’envelope
tracking, l’alimentazione wire-
less e i sistemi Lidar.
In entrambi gli scenari si pre-
vede che le applicazioni a
bassa tensione – sotto i 200V
– andranno a contribuire in
modo massiccio al mercato.
La progettazione di un prodot-
to totalmente nuovo con questi
semiconduttori porterà inevi-
tabilmente a costi superiori
in R&D, che dovranno essere
compensati aggiungendo va-
lore a livello di sistema. Que-
sto potrebbe significare mi-
glioramenti in termini di costi,
dimensioni e condizioni ope-
rative rispetto alle soluzioni su
silicio. Per poter cogliere tali
opportunità, sarà necessario
wireless e via cavo, micro-
controllori e dispositivi per la
gestione dell’alimentazione.
Grazie a una combinazione
di sviluppo organico e di ac-
quisizioni strategiche, corre-
data da investimenti sostan-
ziali di capitali e nella ricerca
e sviluppo, ON Semiconduc-
tor è stata in grado di conti-
nuare a espandere il proprio
portafoglio prodotti. Questo
approccio è stato essenzia-
le per permetterci di conso-
lidare la nostra presenza in
mercati critici e nel fornirci la
titolarità di proprietà intellet-
tuale ad alto valore aggiunto
a completamento delle no-
stre attuali competenze. Di
conseguenza, saremo ora
in grado di servire meglio le
aree applicative emergenti
come IoT e i sistemi ADAS
automobilistici (e molti altri)
– fornendo ai clienti i blocchi
di base fondamentali neces-
sari per metterli in grado di
creare progetti elettronici
avanzati rapidamente e a co-
sti contenuti.
Mercati
Dispositivi GaN e SiC
nell’elettronica di potenza
Tecnologia SiC o GaN? Secondo gli analisti i
dispositivi basati su queste due tecnologie vedranno
la loro massima espansione nei prossimi anni. Ma
molti problemi restano ancora irrisolti
N el prossimo futuro, i dispo-
sitivi basati sulla tecnologia al
carburo di silicio (SiC) tripliche-
ranno, mentre per quelli basati
sulla tecnologia al nitruro di
gallio (GaN) si prevede una
crescita esponenziale. Questa
la sintesi di una recente inda-
gine di ,
che indica anche quali sono le
problematiche da affrontare af-
finché queste aspettative pos-
sano effettivamente avverarsi.
Nel 2014, il mercato dei chip
SiC era di oltre 133 milioni di
dollari. Come negli anni pre-
cedenti, PFC (Power Factor
Correction) e PV (fotovoltai-
co) sono state le principali
aree applicative. I diodi SiC,
continua a pag.10
Previsioni di crescita del mercato dei dispositivi GaN: sono
delineati due scenari – crescita normale e crescita accelerata
((Fonte: Yole Développement)
Antonella Pellegrini
Market share dei produttori di dispositivi SiC
segue Come sarà il 2016
EONews n. 592 - dicembre 2015