![Show Menu](styles/mobile-menu.png)
![Page Background](./../common/page-substrates/page0020.jpg)
zione degli errori sempre più
sofisticate.
Un futuro
ad alta capacità
In prospettiva, le reti di eroga-
zione di contenuti multimediali
digitali da scaricare o da ripro-
durre in streaming, quali mu-
sica, video e giochi, richiede-
ranno una sempre più elevata
capacità di lettura dei dati; dal
momento che i contenuti non
vengono aggiornati così spes-
so, la frequenza delle opera-
zioni di scrittura e cancellazio-
ne è molto bassa.
I produttori di memorie solide
eSSD hanno perciò sviluppa-
to dei drive basati su memo-
rie NAND flash con maggiore
densità di bit che sopportano
fino a 3 DWPD; rispetto ai dri-
ve da 10 DWPD, queste me-
morie allo stato solido sono
disponibili a un prezzo per
GB inferiore. Inoltre, offrono
un maggior spazio di archi-
viazione se confrontate alle
memorie SSD per uso perso-
nale, algoritmi complessi per
calcolare il livello di usura, tec-
nologie avanzate per la corre-
zione degli errori e protezione
dall’interruzione dell’alimenta-
zione.
Questo segmento influenzerà
notevolmente la crescita della
domanda di memorie eSSD, e
ne spingerà l’adozione anche
nei sistemi per l’archiviazione
di terabyte di dati.
Si prevede che le applicazioni
che comportano un numero
moderato di scritture e quelle
dove risulti possibile spostare
in cache le scritture random in
blocchi sequenziali più grandi
prima di essere trasferite all’u-
nità a stato solido saranno le
prossime a vedere l’introdu-
zione delle memorie solide
SSD. Tra queste, si ricordano
le applicazioni virtuali quali i
Virtual Desktop Infrastructu-
res (VDI) e i server virtuali.
Il passaggio dai database at-
tivi ai sistemi basati sulle me-
morie solide eSSD è invece
meno scontato. Se da un lato
le ottime prestazioni in termini
di operazioni di I/O ad acces-
so casuale (IOPS) delle me-
nelle ispezioni industriali e
nei sistemi di sicurezza del-
le automobili. Nel corso del
2014, ON Semiconductor ha
portato a termine l’acquisi-
zione di Aptina (che realizza
sensori di immagine CMOS
di fascia alta) e di Truesen-
se Imaging (specializzata in
sensori di immagine CCD).
Entrambe le aziende sono ri-
conosciute come leader nella
produzione di sensori di im-
magine, e la combinazione
della loro esperienza con la
nostra competenza pone ON
Semiconductor in una po-
sizione di primordine, con il
ruolo predominante nel mer-
cato dei sensori di immagine
per l’automotive e di secondo
produttore di sensori di im-
magine per l’industria. Inoltre,
la recente introduzione dei
sensori di immagine CMOS
ad alta risoluzione PYTHON
2000 e PYTHON 5000 con-
sente di imporsi nel mercato
della visione artificiale.
Con un bilanciato mix tra cre-
scita organica e acquisizioni
mirate, ON Semiconductor
ha espanso le sue attività nel
corso del 2014 e siamo certi
che continuerà a farlo per tut-
to il 2015.
Quest’anno la strategia ci ve-
drà concentrati su quei setto-
ri di mercato dove vediamo
grandi opportunità: l’automo-
tive, la comunicazione wire-
less e alcuni settori particola-
ri dell’industria.
Allargando il nostro portafo-
glio prodotti dedicati a que-
sti settori, saremo in grado
di proporre soluzioni sempre
più efficaci per i dispositivi
per la gestione della potenza,
i sensori di immagine, i con-
trollori, i dispositivi per la pro-
tezione dei circuiti, nonché i
dispositivi analogici, digitali,
mixed-signal e discreti, co-
sicché i nostri clienti possano
trovare tutti i componenti ne-
cessari per realizzare archi-
tetture complete, ad alte pre-
stazioni e altamente efficienti.
2015, l’anno delle
memorie solide
Essd
Le memorie NAND flash dominano già il mercato
dei sistemi di archiviazione (storage) per uso
personale, dai laptop ai tablet, dagli smartphone
alle fotocamere. Nelle applicazioni aziendali, dove
le capacità di archiviazione per ciascun server sono
nell’ordine di terabyte e petabyte, i dischi rigidi (HDD)
sono invece ancora la soluzione più apprezzate, per
via del loro costo contenuto per gigabyte e della
disponibilità di spazio di archiviazione elevato
EON
ews
n
.
584
-
marzo
2015
20
T
ecnologie
segue da pag.19
L
e cose stanno lentamen-
te cambiando: le memorie
allo stato solido di tipo eSSD
(embedded Solid State Drive)
sono sempre più affidabili, con
una riduzione significativa del
costo per GB, reso possibile
dall’adozione di nuove tecno-
logie di base, come il passag-
gio dalle memorie NAND flash
che utilizzano celle a singolo
livello (SLC) a quelle con cel-
le multilivello (MLC). Inoltre,
l’introduzione di processi pro-
duttivi con geometrie più pic-
cole consente di ottenere una
maggiore densità di bit e, di
conseguenza, una capacità di
memorizzazione superiore a
parità di dimensioni del chip,
che permette di raggiungere
migliori economie di scala per
far fronte all’aumento della do-
manda di capacità richiesta
dal mercato.
Le memorie a stato solido
eSSD venivano inizialmente
impiegate in applicazioni ca-
che e sistemi di elaborazione
transazionali, che beneficia-
vano delle prestazioni supe-
riori nella modalità di accesso
casuale offerte dalle memorie
NAND flash rispetto a quelle
tipiche dei sistemi di archivia-
zione su dischi rigidi. A causa
dell’elevato numero di cicli di
scrittura e cancellazione ri-
chiesti da queste applicazioni
(spesso più di 10 riscritture
complete del disco al giorno
[10 DWPD]), erano però ne-
cessarie delle memorie flash
SLC molto costose (€/GB). Per
questo motivo, la capacità di
archiviazione veniva limitata
a 100 GB per dispositivo, una
dimensione accettabile per le
applicazioni cache e per l’ela-
borazione transazionale, ma
non sufficiente per archiviare
moli di dati di ordine superiore.
La applicazioni moderne ri-
chiedono
memorie
MLC
NAND flash capaci di soppor-
tare tassi di riscrittura anche
più di 10 DWPD, e che offrano
un maggior spazio di archivia-
zione con tecnologie di corre-
M
artin
L
arsson
Martin
Larsson,
vice president
Toshiba
Electronics
Europe,
storage
products
division