EONews

zione degli errori sempre più

sofisticate.

Un futuro

ad alta capacità

In prospettiva, le reti di eroga-

zione di contenuti multimediali

digitali da scaricare o da ripro-

durre in streaming, quali mu-

sica, video e giochi, richiede-

ranno una sempre più elevata

capacità di lettura dei dati; dal

momento che i contenuti non

vengono aggiornati così spes-

so, la frequenza delle opera-

zioni di scrittura e cancellazio-

ne è molto bassa.

I produttori di memorie solide

eSSD hanno perciò sviluppa-

to dei drive basati su memo-

rie NAND flash con maggiore

densità di bit che sopportano

fino a 3 DWPD; rispetto ai dri-

ve da 10 DWPD, queste me-

morie allo stato solido sono

disponibili a un prezzo per

GB inferiore. Inoltre, offrono

un maggior spazio di archi-

viazione se confrontate alle

memorie SSD per uso perso-

nale, algoritmi complessi per

calcolare il livello di usura, tec-

nologie avanzate per la corre-

zione degli errori e protezione

dall’interruzione dell’alimenta-

zione.

Questo segmento influenzerà

notevolmente la crescita della

domanda di memorie eSSD, e

ne spingerà l’adozione anche

nei sistemi per l’archiviazione

di terabyte di dati.

Si prevede che le applicazioni

che comportano un numero

moderato di scritture e quelle

dove risulti possibile spostare

in cache le scritture random in

blocchi sequenziali più grandi

prima di essere trasferite all’u-

nità a stato solido saranno le

prossime a vedere l’introdu-

zione delle memorie solide

SSD. Tra queste, si ricordano

le applicazioni virtuali quali i

Virtual Desktop Infrastructu-

res (VDI) e i server virtuali.

Il passaggio dai database at-

tivi ai sistemi basati sulle me-

morie solide eSSD è invece

meno scontato. Se da un lato

le ottime prestazioni in termini

di operazioni di I/O ad acces-

so casuale (IOPS) delle me-

nelle ispezioni industriali e

nei sistemi di sicurezza del-

le automobili. Nel corso del

2014, ON Semiconductor ha

portato a termine l’acquisi-

zione di Aptina (che realizza

sensori di immagine CMOS

di fascia alta) e di Truesen-

se Imaging (specializzata in

sensori di immagine CCD).

Entrambe le aziende sono ri-

conosciute come leader nella

produzione di sensori di im-

magine, e la combinazione

della loro esperienza con la

nostra competenza pone ON

Semiconductor in una po-

sizione di primordine, con il

ruolo predominante nel mer-

cato dei sensori di immagine

per l’automotive e di secondo

produttore di sensori di im-

magine per l’industria. Inoltre,

la recente introduzione dei

sensori di immagine CMOS

ad alta risoluzione PYTHON

2000 e PYTHON 5000 con-

sente di imporsi nel mercato

della visione artificiale.

Con un bilanciato mix tra cre-

scita organica e acquisizioni

mirate, ON Semiconductor

ha espanso le sue attività nel

corso del 2014 e siamo certi

che continuerà a farlo per tut-

to il 2015.

Quest’anno la strategia ci ve-

drà concentrati su quei setto-

ri di mercato dove vediamo

grandi opportunità: l’automo-

tive, la comunicazione wire-

less e alcuni settori particola-

ri dell’industria.

Allargando il nostro portafo-

glio prodotti dedicati a que-

sti settori, saremo in grado

di proporre soluzioni sempre

più efficaci per i dispositivi

per la gestione della potenza,

i sensori di immagine, i con-

trollori, i dispositivi per la pro-

tezione dei circuiti, nonché i

dispositivi analogici, digitali,

mixed-signal e discreti, co-

sicché i nostri clienti possano

trovare tutti i componenti ne-

cessari per realizzare archi-

tetture complete, ad alte pre-

stazioni e altamente efficienti.

2015, l’anno delle

memorie solide

Essd

Le memorie NAND flash dominano già il mercato

dei sistemi di archiviazione (storage) per uso

personale, dai laptop ai tablet, dagli smartphone

alle fotocamere. Nelle applicazioni aziendali, dove

le capacità di archiviazione per ciascun server sono

nell’ordine di terabyte e petabyte, i dischi rigidi (HDD)

sono invece ancora la soluzione più apprezzate, per

via del loro costo contenuto per gigabyte e della

disponibilità di spazio di archiviazione elevato

EON

ews

584

marzo

2015

ecnologie

segue da pag.19

e cose stanno lentamen-

te cambiando: le memorie

allo stato solido di tipo eSSD

(embedded Solid State Drive)

sono sempre più affidabili, con

una riduzione significativa del

costo per GB, reso possibile

dall’adozione di nuove tecno-

logie di base, come il passag-

gio dalle memorie NAND flash

che utilizzano celle a singolo

livello (SLC) a quelle con cel-

le multilivello (MLC). Inoltre,

l’introduzione di processi pro-

duttivi con geometrie più pic-

cole consente di ottenere una

maggiore densità di bit e, di

conseguenza, una capacità di

memorizzazione superiore a

parità di dimensioni del chip,

che permette di raggiungere

migliori economie di scala per

far fronte all’aumento della do-

manda di capacità richiesta

dal mercato.

Le memorie a stato solido

eSSD venivano inizialmente

impiegate in applicazioni ca-

che e sistemi di elaborazione

transazionali, che beneficia-

vano delle prestazioni supe-

riori nella modalità di accesso

casuale offerte dalle memorie

NAND flash rispetto a quelle

tipiche dei sistemi di archivia-

zione su dischi rigidi. A causa

dell’elevato numero di cicli di

scrittura e cancellazione ri-

chiesti da queste applicazioni

(spesso più di 10 riscritture

complete del disco al giorno

[10 DWPD]), erano però ne-

cessarie delle memorie flash

SLC molto costose (€/GB). Per

questo motivo, la capacità di

archiviazione veniva limitata

a 100 GB per dispositivo, una

dimensione accettabile per le

applicazioni cache e per l’ela-

borazione transazionale, ma

non sufficiente per archiviare

moli di dati di ordine superiore.

La applicazioni moderne ri-

chiedono

memorie

MLC

NAND flash capaci di soppor-

tare tassi di riscrittura anche

più di 10 DWPD, e che offrano

un maggior spazio di archivia-

zione con tecnologie di corre-

artin

arsson

Martin

Larsson,

vice president

Toshiba

Electronics

Europe,

storage

products

division