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M
ercati
EON
ews
n.
561
-
febbraio
2013
tificavano in quasi 18 miliardi
di dollari il mercato di com-
ponenti discreti e moduli di
potenza per il 2011 (+9% ri-
spetto al 2010), evidenzian-
do l’eccezionale prestazione
del segmento dei soli moduli
di potenza nel 2012: +32%
(4,6 miliardi di dollari di fat-
turato) contro solo il +3% dei
discreti (che hanno chiuso
l’anno con un fatturato di
12,9 miliardi di dollari). Per
il futuro, gli analisti di IMS
prevedono che il fatturato di
discreti e moduli di potenza
arriverà a toccare quota 26,2
miliardi di dollari nel 2016,
con un Cagr dell’8% sul pe-
riodo 2011-2016.
Bene Igbt e Mosfet
Tanto Frost & Sullivan quan-
to Yole Développement han-
no evidenziato nelle proprie
analisi la progressiva sostitu-
zione delle soluzioni basate
raddrizzatori di potenza, Bjt
e tiristori con quelle basate
su Igbt e Mosfet di potenza.
I motivi della crescente po-
polarità di Mosfet e Igbt è da
ricercarsi nelle elevate pre-
stazioni in termini di poten-
za dissipata e frequenze di
commutazione. Gli analisti
di Yole sottolineano inoltre
come il tradizionale layout
planare, in particolare tra
i Mosfet per alte tensioni
di lavoro, stia lasciando il
passo a soluzioni ottimiz-
zate con tecnologia a super
giunzione (SJ).
Il Cagr previsto per
Igbt e Mosfet sul pe-
riodo 2010-2015 è,
rispettivamente, del
9,8% e del 6,3%.
In una ricerca resa di-
sponibile a metà gen-
naio da
“Global IGBT based
power module market
2012-2016” emerge
che i moduli di poten-
za basati su Igbt, spin-
ti dalla domanda di sistemi
per la produzione di ener-
gia rinnovabile, vedranno
un Cagr del 14% sul perio-
do 2012-2016. A ostacolare
una diffusione ancora più
marcata dei moduli con Igbt
è, almeno per il momento, il
prezzo elevato rispetto alle
soluzioni alternative.
Sul fronte Mosfet di poten-
za,
ha stimato in
6,98 miliardi di dollari il fattu-
rato nel 2012: +5% rispetto
all’anno precedente. Le sti-
me per il 2013 sono di un’e-
spansione di circa il 10%,
contro un tasso di crescita
del mercato complessivo dei
semiconduttori del 7%. No-
nostante il clima di incertez-
za economica che permea
l’Europa e stenta a lasciare
gli Stati Uniti, le previsioni
per i prossimi anni sono di
crescita almeno fino al 2016,
dove il fatturato mondiale dei
Mosfet di potenza toccherà
quota 9,75 miliardi di dollari.
Si tratta di un mercato soli-
do ma altamente competitivo
che nei prossimi anni vedrà
anche una contrazione dei
prezzi dei prodotti compresa
tra l’1% e il 3%. La doman-
I
n base ai dati rilasciati da
lo scorso dicembre,
l’industria dei semicondutto-
ri, dopo un 2012 dal fatturato
tutt’altro che brillante (stima-
to da Gartner con un -3%,
contro le precedenti previ-
sioni di +0,6%) è destinata a
una ripresa che si concretiz-
zerà in una crescita del 4,5%
nel 2013 e un’ancora più
sostanziosa espansione del
9,9% nel 2014.
conferma il trend
positivo per il 2013, con un
pronostico di crescita del
4,9% per l’anno in corso e
una previsione di Cagr del
4,1% tra il 2011 e il 2016,
anno in cui il fatturato com-
plessivo toccherà quota 368
miliardi di dollari. Ad alimen-
tare il mercato dei semicon-
duttori saranno soprattutto
il settore consumer, con la
crescente domanda di tablet
e smartphone, e quello auto-
mobilistico, sempre più ricco
di sistemi elettronici.
Accenni di ripresa emer-
gono anche dall’analisi di
per il
2013, che identifica anche
i segmenti con prestazioni
al di sopra della media del
mercato dei semiconduttori:
per sensori e optoelettroni-
ca, ad esempio, è prevista
una crescita compresa tra il
9 e il 13%. Particolarmente
significativo è il rimbalzo dei
componenti discreti di poten-
za che dopo una caduta del
20% nel 2012, principalmen-
te attribuibile al taglio degli
investimenti cinesi nel set-
tore ferroviario e delle ener-
gie alternative, vedranno un
incremento del 10% con un
fatturato 2013 stimato in 20
miliardi di dollari.
Trend positivo
Alti e bassi hanno caratte-
rizzato tutto il mercato dei
semiconduttori di potenza
degli ultimi anni: passata
la congiuntura del periodo
2008-2009, una ricerca di
ha rilevato
una ripresa con un incre-
mento del 34,9% tra il 2009
e il 2011, in larga parte do-
vuta al crescente numero di
applicazioni nell’elettronica
di consumo, in ambito indu-
striale e nella gestione delle
energie rinnovabili. Il fattura-
to a fine 2011 del mercato
dei semiconduttori di poten-
za, comprensivo di Mosfet,
Igbt, Bjt, tiristori e raddriz-
zatori di potenza, è stato di
quasi 15 miliardi di dollari,
corrispondente al 4,5% circa
del mercato complessivo dei
semiconduttori. Il trend posi-
tivo sarebbe destinato a con-
tinuare almeno fino al 2017,
anche se a partire dall’anno
prossimo dovrebbero mani-
festarsi i primi segni di ral-
lentamento per effetto della
saturazione dei segmenti
applicativi interessati.
Stime rilasciate l’anno scor-
so da
nel
report “The World Market
for Power Semiconductor
Discretes & Modules” quan-
L’elettronica di potenza
alza la media
Elettronica di potenza in
crescita nei prossimi anni,
con Igbt e Mosfet sempre più
richiesti e prime affermazioni
delle soluzioni in GaN e SiC
M
assimo
G
iussani
Fig. 3
Previsioni
del mercato
dei Mosfet
di potenza
(Fonte:
IC Insights)
Fig. 1
Proiezioni per
il fatturato
dell’industria
dei
semiconduttori
(Fonte:
Gartner)
Fig. 2
Evoluzione
del mercato
dell’elettronica
di potenza
2006-2020
per tipologia
di discreto
(Fonte: Yole
Développement)
