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26 - ELETTRONICA OGGI 448 - SETTEMBRE 2015
TECH INSIGHT NRAM
I nanotubi di carbonio
continuano a dimostrar-
si preziosi nelle prestazioni
elettromagnetiche quanto
poliedrici nella varietà delle
applicazioni che riescono a
soddisfare. Uno studio pub-
blicato da
a metà febbraio stima
con un Cagr dal 21 al 23 %
la crescita dei prodotti fab-
bricati in polimeri nanocom-
positi fra il 2015 e il 2020
e indica nei componenti
elettronici costruiti con na-
notubi di carbonio i princi-
pali protagonisti di questa
tendenza perché capaci di
unire le prestazioni alla ro-
bustezza e al basso prezzo
con ottimi risultati dal punto
di vista applicativo in gra-
do di offrire un’imbattibile
competitività.
è stata fondata per
sviluppare le memorie ba-
sate su nanotubi di carbonio
che mostrano proprietà ap-
plicative pregevoli, perché
possono essere plasmate in
molti modi diversi e offrire
prestazioni eccellenti indif-
ferentemente come Sram,
Dram, Flash, Solid State Me-
mory e Hard Disk. Le NRAM,
o Nanotube-based/Nonvo-
latile RAM, sviluppate nei
laboratori Nantero e per tal
motivo brevettate, sfruttano
un’innovativa tecni-
ca di memorizzazio-
ne, oggi disponibile
solo grazie ai re-
centi progressi nel-
le nanotecnologie
e perciò in grado
di offrire caratteri-
stiche uniche come
mille anni di affida-
bilità a 85 °C e oltre
dieci a ben 300 °C
con un tempo di
risposta limitato a
20 ns in lettura e in
scrittura.
Nanomemorie
Le celle di queste
memorie sono di
natura resistiva e
fabbricate con na-
notubi di carbonio
depositati su comu-
ni die di silicio dove
hanno la possibilità
di assumere due
configurazioni sta-
bili che possono mantenere
a lungo senza bisogno di
refresh. La cella elementare
è un transistor a effetto di
campo che ospita all’estre-
mità dell’emettitore un san-
dwich di due elettrodi con
in mezzo uno strato di nano-
tubi di carbonio mentre nel
collettore c’è il morsetto di
comando. In pratica, nello “0”
i nanotubi sono rigidamente
separati fra loro e offrono
all’esterno un’elevata resi-
stenza (circa 1 GigaΩ) e per-
ciò una bassissima corrente
attraverso i due elettrodi,
mentre nello stato “1” si toc-
cano e rimangono attaccati
grazie alla forza di Van der
Waals offrendo all’esterno
bassa resistenza ed elevata
conduttività in corrente fra i
due elettrodi.
Per eseguire un’operazione
di SET e causare il passag-
gio della cella dallo 0 all’1
(ON) è sufficiente applica-
re un impulso con tensione
superiore all’energia di at-
tivazione della forza di Van
der Waals, che è di circa 5
eV per imporre un’attrazio-
Memorie nanotecnologiche
Lucio Pellizzari Le NRAM che Nantero fabbrica con i nanotubi di
carbonio hanno caratteristiche e prestazioni imbattibili
con una pregevole versatilità di configurazione
applicativa che può trasformarle in Dram, Flash o HDD
Fig. 1 – Le celle NRAMbrevettate da Nantero possono essere indirizzate con tre linee
WL, BL e SL come le Dramma offrono in forma non volatile una densità di memoriz-
zazione notevolmente maggiore