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- ELETTRONICA OGGI 442 - GENNAIO/FEBBRAIO 2015
TECH INSIGHT
SGT
una tensione di saturazione inferiore e un’impedenza di uscita
relativamente alta e queste caratteristiche sono insensibili ri-
spetto alla lunghezza del canale in base e perciò si verificano
anche se si alza il livello della corrente di conduzione. Inoltre,
gli SGT sono molto robusti e possono funzionare senza degra-
dare le prestazioni elettriche anche in presenza di forti inter-
ferenze elettromagnetiche o di ampie e irregolari fluttuazioni
della potenza di alimentazione.
Un nuovo stadio evolutivo per l’elettronica
Oltre alla miglior efficienza energetica, il grande vantaggio de-
gli SGT consiste nella possibilità di usare il silicio policristalli-
no sopra substrati vetrosi ingegnerizzabili in diversi modi per
fabbricare dispositivi e circuiti plastici, malleabili ed economi-
ci e ciò per i display costituisce senza dubbio un importante
valore aggiunto. Va considerato che questi transistor sono
ancor più sottili dei consueti TFT e perciò chiamati anche “ul-
trasottili”. Con i transistor SGT si possono realizzare circuiti
e display deformabili su supporti sottilissimi di consistenza
simile a quella della carta e tali da poter essere installati non
solo sugli involucri plastici degli apparecchi consumer porta-
tili, ma anche sopra i tessuti ottenendo display a basso costo
indossabili di grande attrattività commerciale. Con i circuiti
di questo tipo, per esempio, si potrebbero realizzare
piccoli sistemi elettronici di identificazione, da incor-
porare nel telaio delle valigie o degli zaini, oppure
mini check-up medicali da cucire insieme ai tessuti
nell’abbigliamento sportivo e agonistico oppure dei
tablet che si possono comodamente “arrotolare” (“roll-
up tablet”).
Lo sviluppo dei transistor SGT è stato portato avanti
soprattutto dai ricercatori R. Sporea, R. Silva e J. Shan-
non dell’
Advanced Technology Institute (ATI)
dell’
U-
niversità inglese del Surrey
, in collaborazione con i
locali laboratori
Philips Research
. Attualmente il la-
voro del team ATI è rivolto alla sperimentazione dei
nuovi materiali a elevate prestazioni per i transistor
SGT e, in particolare, procede nei due importanti fi-
loni di ricerca costituiti dai polimeri organici (OSGT,
Organic SGT) e dal grafene, materiali che aggiun-
gerebbero ai circuiti di questo tipo proprietà ancor
più duttili come la trasparenza ottica oppure l’immu-
nità all’inquinamento ambientale, agli sbalzi termici
estremi e all’umidità. Entrambe queste idee sono
nate grazie ai più recenti risultati scientifici ottenuti nelle na-
notecnologie e promettono di rendere i transistor SGT ancor
più competitivi. Senza dubbio si tratta di un nuovo stadio
evolutivo dell’industria elettronica, che consentirà di abbas-
sare ulteriormente i costi dei circuiti e al tempo stesso fare
in modo di incorporare display e sistemi consumer pratica-
mente dappertutto.
Q
Fig. 4 – Con i transistor SGT si possono realizzare display ultrasottili,
deformabili e robusti che possono persino essere incorporati nei tessuti
per l’abbigliamento sportivo
Fig. 3 – I test ATI su una tipica configurazione inverter dimostrano che
i transistor SGT offrono prestazioni elettriche notevolmente migliori
rispetto ai FET