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VII

POWER 13 -

APRILE 2017

POWER

SEMICONDUCTOR

SiC, il diodo FFSH40120ADN (Fig. 1). Questo diodo pre-

senta una corrente di dispersione estremamente bassa

e stabile, grazie all’uso di un IP per la realizzazione del-

la terminazione del bordo (edge termination). Grazie

all’uso di un avanzato processo SiC sa 6” che permette di

ridurre i difetti del substrato e degli strati epitassiali e al

processo di passivazione che permette di evitare l’ingres-

so di umidità, il nuovo diodo SiC si distingue per le sue

doti di robustezza e affidabilità. Grazie a queste caratte-

ristiche FFSH40120ADN sarà utilizzato in dispositivi in-

dustriali che richiedono la massima robustezza possibile.

Anche Infineon si è concentrata sul SiC e a PCIM ha

introdotto due nuovissimi MOSFET SiC da 1200V nella

propria gamma CoolSiC. Grazie all’uso di un avanzato

processo “trench” (a trincea) è stato possibile ottenere

per questi dispositivi una R

DS(ON)

di soli 45 mΩ, vale a

dire che possono funzionare con perdite dinamiche di

un ordine di grandezza inferiore rispetto ai tradizionali

IGBT di silicio da 1200V. Il diodo intrinseco (body dio-

de) caratterizzato da perdite di ripristino inverso quasi

nulle permette l’uso di questi MOSFET in topologie di

rettificazione sincrona, utilizzate in applicazioni quali

inverter fotovoltaici, gruppi di continuità e sistemi di ri-

carica delle batterie.

Conversione diretta nei data center

La scorsa primavera Google ha annunciato che stava pre-

parando le sue nuove specifiche di alimentazione per i

rack dei data center, nell’ambito dell’Open Compute

Project. Lo scopo di questo nuovo standard è promuo-

vere l’efficienza energetica nei data center che, come è

noto, consumano una percentuale significativa di tutta

l’energia a livello mondiale; se fosse possibile ridurre,

anche in una ridotta percentuale, il loro consumo, l’im-

patto sui consumi di energia globali sarebbe senza dub-

bio rilevante. Per conseguire tale obbiettivo, secondo

Google, bisogna sviluppare architetture di distribuzione

di energia da 48V per rack di server, molto più efficienti

rispetto ai classici sistemi di distribuzione da 12V tradi-

zionalmente utilizzati in questo campo. Gran parte del

miglioramento dell’efficienza energetica è ascrivibile al

singolo stadio di conversione di potenza specificato nel-

lo standard che riduce la tensione da 48 a 1V (o valori

inferiori) richiesto dal punto di carico. Ulteriori rispar-

mi sono realizzati riducendo le perdite di componenti di

trasmissione in rame, come i bus-bar.

I produttori ovviamente si sono messi a sviluppare solu-

zioni per la conversione da 48 a 1V (o valori inferiori) in

un unico stadio. Una delle soluzioni più interessanti è

un chipset sviluppato da STMicroelectronics che utilizza

la tecnologia per la conversione diretta isolata risonante

(Resonant Direct Conversion), grazie alla quale è possi-

bile ridurre con un’unica conversione tensioni di ingres-

so comprese tra 36 e 72V in tensioni di uscita variabili tra

0,5 e 12V. Utilizzato con MOSFET di potenza StripFET

di ST, il circuito assicura un’efficienza superiore al 97%

(a 12V / 500W).

Uno sguardo sull’energy harvesting

Tra le altre tendenze legate al settore della potenza da

segnalare senza dubbio una rinnovata attenzione alle

tecniche di energy harvesting (ovvero recupero, trasfor-

mazione e riutilizzo dell’energia) nell’ambito dello svi-

luppo di applicazioni IoT (Internet of Things). Quello

dell’energy harvesting è una sfida impegnativa per l’elet-

tronica di potenza, visti i livelli estremamente ridotti di

correnti e di energia in gioco.

Tra i chip più innovativi introdotti lo scorso anno si può

segnalare l’unità per la gestione della potenza ADP5091/

ADP5092 per i sistemi di energy harvesting presentata da

Analog Devices all’ultima edizione di Embedded World.

Questi dispositivi sono stati concepiti per caricare una

piccola batteria agli ioni di litio o un supercondensatore,

oppure far funzionare piccoli dispositivi elettronici con

l’energia immagazzinata. La potenza accumulata può es-

sere nel range compreso tra 6 μW e 600 mW, mentre le

perdite durante il funzionamento sono inferiori a 1 μW,

per cui lo spreco di energia è veramente ridotto. La cor-

rente di riposo è 510 nA durante il funzionamento o 390

nA in modalità “sleep” (dal pin SYS). I chip forniscono

un’uscita regolata di 150mA con tensioni comprese tra

tra 1,5 e 3,6V.

Un interesse sempre maggiore sta suscitando la ricarica

wireless e no solo per le applicazioni mobili. TI è stata

la prima a introdurre, lo scorso mese di luglio, un tra-

smettitore di potenza wireless da 15W compatibile con lo

standard Qi. La soluzione, denominata bq501210, opera

a una frequenza fissa che alta efficienza a livello di sistema

(84%) e interferenze EMI ridotte. Essa può supportare

diversi protocolli di ricarica veloce insieme al protocollo

High-Voltage Dedicated Charging Point (HVDCP), viene

utilizzato per comunicare con gli adattatori a parete CA-

CC compatibili per regolare la tensione di ingresso. In-

gressi con tensioni comprese tra 15 e 19V possono fornire

una potenza di 15W, mentre per produrre potenze di 5 o

10W è possibile utilizzare tensioni di ingresso inferiori.

Fig. 2

– ST è all’avanguardia nel settore dei i chipset per la gestione della

potenza per la nuova architettura che prevede la conversione da 48V alla

tensione richiesta dai punti di carico per i server rack dei data center