Infineon technologies: IGBT a 650 V

Pubblicato il 19 marzo 2015

Infineon Technologies ha annunciato una famiglia di IGBT a 650V ad alta efficienza in applicazioni automotive fast switching. TRENCHSTOP5 AUTO IGBT con qualifica AEC-Q, riduce le perdite di potenza e migliora l’affidabilità dei veicoli elettrici (EV) e ibridi (HEV) in applicazioni come il rifasamento (PFC) e conversione DC/AC e DC/DC.

I nuovi IGBT hanno una tensione di blocco di 50V superiore ai precedenti. Rispetto alle tecnologie esistenti “state-of-the-art”, riduce la tensione di saturazione (VCE (sat)) di 200mV, dimezza le perdite di commutazione e abbassa la carica di gate di un fattore di 2,5. Questi miglioramenti portano ad una maggiore affidabilità del dispositivo, riducendo al minimo la necessità di raffreddamento.

Nel caso di HEV, i miglioramenti di efficienza possono essere utilizzati per ridurre il consumo complessivo di carburante e le emissioni di CO2. Vengono forniti in package TO-247 con correnti nominali di 40A o 50A (H5 HighSpeed ​​e F5 HighSpeed).



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