Reference design per un alimentatore GaN da 4 kW da Arrow Electronics, Nexperia e Yageo

Arrow Electronics, in collaborazione con Nexperia e Yageo, ha completato il progetto di riferimento di un alimentatore AC/DC con componenti GaN destinato alle applicazioni fino a 4 kW. Per realizzare il progetto, il team Arrow ha scelto i transistori di potenza GaN GAN039-650NTB di Nexperia e ha collaborato con Yageo nello sviluppo delle specifiche per il trasformatore flyback e l’induttore a circuito risonante.

Questo reference design è disponibile con la completa documentazione di supporto, compresa la distinta base. I clienti possono integrare il nuovo alimentatore basato su GaN direttamente nei propri prodotti e sono liberi di modificarlo, se necessario.

Le sue applicazioni tipiche comprendono la conversione dell’energia da fonti solari ed eoliche, i robot industriali, le apparecchiature HVAC, le pompe per fluidi, le macchine ATM, l’automazione industriale e gli alimentatori, inclusi gli UPS. Grazie al suo fattore di forma compatto è utilizzabile anche per e-bike, utensili elettrici e apparecchiature audio professionali.

“Il nostro progetto di riferimento da 4 kW è in prima linea nell’attuale tendenza ad adottare transistori GaN a banda larga in applicazioni superiori a 1 kW”, ha dichiarato Vitali Damasevich, direttore tecnico per l’Europa Orientale e del centro soluzioni tecniche EMEA di Arrow Electronics. “Sfruttando i più recenti FET GaN e componenti passivi personalizzati abbiamo ottenuto un significativo aumento dell’efficienza, della densità di potenza e della miniaturizzazione dei dispositivi rispetto alle tradizionali soluzioni basate sui MOSFET al silicio. Oltre a fornire il progetto di riferimento, possiamo anche supportare i clienti nello sviluppo dei loro alimentatori ad alta efficienza e nell’integrazione della soluzione, allo scopo di ottimizzare la forma, l’adattamento e le funzionalità delle loro applicazioni.”

Contenuti correlati

• 
  Nexperia potenzia la sua offerta per l’energy harvesting

  Nexperia  ha ampliato la sua offerta di prodotti per l’energy harvesting con la famiglia di PMIC NEH71x0. Questa linea di IC per la gestione dell’energia, a differenza di altri prodotti, elimina la necessità di un induttore esterno,...
• 
  Mouser: i vantaggi dell’elettronica di potenza basata su GaN

  Mouser Electronics ha recentemente pubblicato un nuovo eBook, realizzato in collaborazione con Analog Devices (ADI) e Bourns, che illustra le sfide e i vantaggi offerti dalla tecnologia al nitruro di gallio (GaN), con l’obiettivo di ottenere una...
• 
  ROHM e TSMC collaborano per lo sviluppo della tecnologia GaN per l’automotive

  La nuova partnership strategica tra ROHM e TSMC è focalizzata sullo sviluppo e la produzione in serie di dispositivi di potenza al nitruro di gallio (GaN) destinati ad applicazioni per veicoli elettrici. Il contributo di ROHM sarà...
• 
  CGD collabora con IFPEN per la tecnologia GaN

  Cambridge GaN Devices (CGD) ed Energies nouvelles (IFPEN) hanno sviluppato un demo che evidenzia il vantaggi delle soluzioni GaN da 650 V CGD ICeGaN in un inverter da 800 V CC multilivello. La demo è caratterizzata da...
• 
  Innoscience amplia la gamma di dispositivi GaN

  Innoscience Technology ha aggiunto alla sua offerta due nuovi dispositivi con tecnologia GaN da 100V per il mercato automotive. I dispositivi sono siglati rispettivamente INN100W135A-Q (RDS(on),max = 13,5 mΩ) e INN100W800A-Q (RDS(on),max = 80 mΩ) e sono...
• 
  Partnership strategica tra Nexperia e KOSTAL

  Nexperia e KOSTAL hanno siglato una partnership strategica per lo sviluppo di dispositivi wide bandgap (WBG) in grado di soddisfare esattamente i requisiti delle applicazioni automotive. In base ai termini dell’accordo, Nexperia produrrà, svilupperà e fornirà dispositivi...
• 
  Le tecnologie innovative di Arrow a electronica 2024

  Arrow Electronics sarà presente alla prossima edizione di electronica con il tema ‘Guidare l’Innovazione del Futuro‘. Arrow presenterà le più recenti innovazioni e le tecnologie più avanzate in uno stand di 875 m². Non mancheranno le demo...
• 
  Nexperia estende l’offerta di MOSFET NextPower

  Nexperia ha rilasciato diversi nuovi dispositivi MOSFET NextPower a 80 V e 100 V con il package LFPAK caratterizzato da ingombri di 5×6 mm e 8×8 mm. Questi nuovi MOSFET NextPower 80/100 V sono ottimizzati per ottenere...
• 
  Da Navitas un reference design da 4,5 kW

  Navitas Semiconductor ha rilasciato il suo reference design per un alimentatore per data center AI da 4,5 kW, con componenti di potenza GaNSafe e Gen-3 “Fast” (G3F) SiC ottimizzati. Questo design, che punta molto sulla tecnologia dei...
• 
  Nuovi diodi raddrizzatori da 650 V da Nexperia

  Nexperia ha rilasciato i sui nuovi diodi raddrizzatori da 650 V ospitati in packaging D2PAK Real-2-Pin (R2P) per l’uso in varie applicazioni automotive, industriali e di consumo, come per esempio i sistemi di ricarica, inverter e alimentatori...