Moduli di potenza Semikron Danfoss con IGBT ROHM

Semikron Danfoss ha recentemente aggiunto il nuovo IGBT RGA da 1200 V di ROHM alla propria offerta di moduli. ROHM ha lanciato il nuovo IGBT RGA da 1200 V, come alternativa agli ultimi dispositivi IGBT di settima generazione per le applicazioni industriali.

“Il modello RGA è un IGBT trench gate di recente progettazione, di tipo light punch-through (lievemente asimmetrico), con Tj,max = 175 °C. Le caratteristiche di conduzione, commutazione e termiche sono ottimizzate per le nuove applicazioni di pilotaggio industriali nella gamma di potenza medio-bassa. Al tempo stesso il modello RGA deve restare compatibile con le soluzioni IGBT pre-esistenti, per assicurare un approccio basato sulla multipla sorgente. In aggiunta, il dispositivo RGA è utilizzabile anche per migliorare la gestione delle sovracorrenti transitorie in condizioni di sovraccarico delle applicazioni per il pilotaggio dei motori”, ha affermato Kazuhide Ino, membro del C.d.A, Managing Executive Officer e CFO di ROHM.

“Il settore dell’elettronica di potenza continua a trarre insegnamento dai problemi di fornitura di questi ultimi anni. Logicamente occorre che la produzione di chip e moduli per semiconduttori sia diversificata per generare moduli di potenza realmente all’insegna di un ‘approvvigionamento multiplo'”, ha dichiarato Claus A. Petersen, Presidente di Semikron Danfoss. “Nel caso degli IGBT di settima generazione da 1200 V, ora è disponibile un affidabile prodotto equivalente di un rispettabile produttore, che risolve questa problematica anche nella gamma a bassa potenza. L’IGBT RGA da 1200 V di ROHM è l’alternativa perfetta agli IGBT di settima generazione e lo si può indurre a un comportamento elettrico notevolmente simile grazie a una minima regolazione della resistenza di gate”, ha continuato Peter Sontheimer, Senior Vice President della Divisione Industria e Managing Director di Semikron Danfoss.

Contenuti correlati

• 
  I vantaggi dell’analogico e del digitale per la soluzione LogiCoA di ROHM

  ROHM ha creato LogiCoA, una innovativa soluzione di alimentazione per apparecchiature industriali e consumer di piccola e media potenza (da 30 W a 1 kW) che fornisce le stesse funzionalità degli alimentatori con controllo completamente digitale a...
• 
  ROHM: TRCDRIVE pack per ridurre le dimensioni degli inverter dei veicoli elettrici

  ROHM, nell’ambito della gamma TRCDRIVE pack, ha sviluppato quattro modelli con moduli SiC 2 in 1. Si tratta di due varianti da 750 V nominali (BSTxxxD08P4A1x4) e due varianti da 1.200 V nominali (BSTxxxD12P4A1x1) ottimizzati per gli...
• 
  Tre nuovi resistori di shunt da ROHM

  ROHM ha aggiunto tre nuovi modelli alla sua gamma di resistori di shunt a elemento metallico standard PMR100. Si tratta di prodotti con una potenza nominale di 5 W e valori di resistenza di 0,5, 1,0 e...
• 
  In mostra a PCIM Europe 2024 le soluzioni di potenza EcoGaN e SiC di ROHM

  In occasione dell’edizione di quest’anno di PCIM Europe, la manifestazione che si terrà a Norimberga dal 11 al 13 giugno, ROHM presenterà le sue nuove soluzioni di semiconduttori di potenza, con un’attenzione particolare ai dispositivi wide bandgap....
• 
  Da ROHM un amplificatore operazionale a basso consumo

  ROHM ha sviluppato un amplificatore operazionale lineare caratterizzato da un consumo di corrente particolarmente basso, pari a 160 nA. Il modello LMR1901YG-M può essere utilizzato per amplificare i segnali dei sensori che rilevano e misurano temperatura, velocità...
• 
  I nuovi regolatori LDO per automotive di ROHM

  I nuovi regolatori LDO primari sviluppati da ROHM offrono un’uscita nominale di 500 mA e 45 V. Siglati BD9xxM5-C (BD933M5EFJ-C / BD950M5EFJ-C / BD900M5EFJ-C / BD933M5WEFJ-C / BD950M5WEFJ-C / BD900M5WEFJ-C), questi dispositivi sono utilizzabili per fornire alimentazione...
• 
  onsemi presenta i suoi IPM basati su IGBT di 7° generazione

  onsemi ha realizzato i nuovi moduli di potenza intelligenti (IPM) SPM31 da 1200 V, dotati della tecnologia di ultima generazione Field Stop 7 (FS7) e basati su IGBT. Il produttore precisa che gli IPM SPM31 offrono maggiore...
• 
  I nuovi SBD di ROHM

  ROHM ha realizzato diodi a barriera Schottky (SBD) caratterizzati da una tensione di breakdown di 100 V, un tempo di reverse recovery (trr) particolarmente contenuto (15ns) e utilizzabili per i circuiti di protezione e alimentazione di applicazioni...
• 
  Infineon e VMAX intensificano la loro collaborazione

  Il nuovo sistema ibrido discreto CoolSiC con IGBT Fast-Switching TRENCHSTOP 5 e diodo Schottky CoolSiC di Infineon Technologies è stato scelto da VMAX, produttore cinese di elettronica di potenza, per realizzare caricabatterie di bordo OBC/DCDC a 6,6...
• 
  ROHM: nuova line-up di MOSFET da 600 V compatti

  ROHM ha aggiunto alla sua offerta una line-up di MOSFET Super Junction compatti da 600 V. I modelli sono siglati rispettivamente R6004END4, R6003KND4, R6006KND4, R6002JND4 e R6003JND4. Si tratta di dispositivi utilizzabili per piccoli alimentatori per illuminazione,...