UnitedSiC amplia la gamma di FET SiC a 650V

UnitedSiC ha aggiunto due nuovi componenti alla sua gamma di FET SiC a 650 V FF UF3C.

I nuovi prodotti offrono valori RDS (on) di 30mohm (UF3C065030T3S) e 80mohm (UF3C065080T3S) e utilizzano un package TO220-3L.

La serie UnitedSiC UF3C FAST SiC, che ora conta 14 dispositivi, è disponibile in una gamma di package TO247-3L, TO247-4L, TO220-3L e D2PAK7-3L, con quattro opzioni a 1200 V e dieci a 650 V.

I nuovi dispositivi si rivolgono ai progettisti che cercano prestazioni maggiori per applicazioni come per esempio la ricarica EV, inverter FV, alimentatori switching, moduli di correzione del fattore di potenza, drive per motori e riscaldamento a induzione.

Le caratteristiche standard del gate-drive del dispositivo consentono una vera sostituzione “drop-in” per IGBT in silicio, Si FET, MOSFET SiC o dispositivi superjunction in silicio su progetti esistenti.

Nel caso di nuovi progetti, i FET UnitedSiC offrono maggiori frequenze di commutazione per ottenere sostanziali vantaggi di sistema sia in termini di efficienza e riduzione delle dimensioni, sia di costo dei componenti passivi, quali quelli magnetici e condensatori

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