Raffreddamento sul lato superiore per i nuovi MOSFET di onsemi

Presso lo stand onsemi, a electronica 2022, i visitatori possono vedere i nuovi dispositivi MOSFET con raffreddamento sulla parte superiore concepiti per semplificare il lavoro dei progettisti che sviluppano applicazioni particolarmente complesse in campo automotive, come il controllo motori e la conversione DC/DC.

I nuovi componenti “Top Cool” utilizzano un package TCPAK57 di dimensioni pari a soli 5×7 mm, che è dotato di un pad termico (di superficie pari a 16,5 mm2) sulla parte superiore. In questo modo il calore può essere smaltito direttamente nel dissipatore e non mediante la scheda PCB. Consentendo l’uso di entrambe le facce della scheda PCB è possibile ottenere una maggiore densità di potenza. La maggiore affidabilità dei nuovi progetti contribuisce, inoltre, ad aumentare la durata del sistema complessivo.

“Il raffreddamento è uno dei principali problemi dei progetti ad alta potenza – ha ricordato Fabio Necco, vice president e general manager dell’Automotive Power Solutions di onsemi – e la capacità di affrontarlo in modo efficace è l’elemento chiave per soddisfare una delle esigenze prioritarie dei moderni progetti automotive ovvero la riduzione di dimensioni e peso. Grazie all’eccellente efficienza elettrica e all’eliminazione della scheda PCB dal percorso termico, il progetto risulta molto più semplice, a fronte di una diminuzione di dimensioni e costi”.

I nuovi dispositivi sono caratterizzati da un’elevata efficienza elettrica, con valori di RDS(ON) a partire da 1mΩ. Il basso valore della carica di gate (Qg), pari a 65 nC, permette di ridurre le perdite nelle applicazioni di commutazione ad alta velocità

Tutti i dispositivi possono operare a temperatura di giunzione (Tj) di 175°C, sono qualificati AEC-Q101 e compatibili con il processo PPAP.

onsemi Padiglione C4, stand 101

Contenuti correlati

• 
  Toshiba: Mosfet a 80 V per automotive

  I Mosfet XPH2R608QB e XPH3R908QB di Toshiba sono componenti a canale N da 80 V conformi allo standard AEC-Q101, che espandono la gamma a supporto dei sistemi automotive a 48 V. Questi prodotti sono realizzati utilizzando il...
• 
  Nuovi Mosfet EcoSiC da Rohm

  Rohm  ha sviluppato, nell’ambito della serie EcoSiC,  Mosfet SiC di quinta generazione ottimizzati per applicazioni di potenza ad alta efficienza. Il produttore precisa che questa tecnologia è particolarmente adatta per i sistemi di powertrain elettrici nel settore automotive,...
• 
  Nuova tecnologia per i Mosfet di Toshiba

  Toshiba Electronics Europe ha sviluppato un Mosfet a canale N da 40 V basato sul processo produttivo U-MOS11-H di ultima generazione. Il dispositivo, siglato TPHR6704RL, è ottimizzato per l’impiego negli alimentatori a commutazione utilizzati nei data center,...
• 
  Diodes amplia l’offerta di Mosfet per automotive

  Diodes ha aggiunto al suo portfolio di Mosfet a canale N con package PowerDI8080-5 conformi agli standard automotive un componente da 100 V con una resistenza RDS(ON) particolarmente bassa. Questo Mosfet è stato introdotto insieme a nuovi...
• 
  Sette nuovi Mosfet a super giunzione da Toshiba

  Toshiba ha esteso la sua serie di Mosfet Dtmosvi 600 V con struttura a super giunzione con i nuovi componenti a canale N Dtmosvi 600 V HSD (con diodo ad alta velocità). Si tratta di sette nuovi...
• 
  I nuovi Mosfet di Ideal Semiconductor

  Ideal Semiconductor ha ampliato la sua offerta di Mosfet SuperQ da 200 V con nuovi modelli caratterizzati da valori di RDS (on) particolarmente ridotti. La versione con packge di tipo TOLL offre infatti una RDS(on) massima di...
• 
  I SiC di Infineon per la bZ4X di Toyota

  Infineon Technologies ha comunicato Toyota ha adottato i MOSFET CoolSiC per il suo nuovo modello bZ4X. Nello specifico, questi componenti di Infineon sono stati integrati nel caricabatterie di bordo (OBC) e nel convertitore CC/CC. I MOSFET CoolSiC sfruttano...
• 
  Toshiba presenta un MOSFET DTMOSVI da 600 V

  TK057V60Z è un nuovo MOSFET a super giunzione a canale N di Toshiba che offre una tensione drain-source (VDSS) di 600 V con una corrente di drain (ID) fino a 40 A. Le altre principali caratteristiche tecniche...
• 
  Littelfuse presenta un nuovo MOSFET da 200 V e 480 A

  Littelfuse ha introdotto il MOSFET di potenza Ultra Junction classe X4 MMIX1T500N20X4. Questo nuovo componente a canale a N da 200 V e 480 A offre un valore di RDS(on) particolarmente basso (1,99 mΩ), permettendo una elevata...
• 
  Nuovo webinar da Mouser e onsemi

  Mouser Electronics e onsemi propongono un webinar gratuito dal titolo “How SiC JFETs Are Transforming Circuit Protection and Power Electronics” che si terrà alle 17:00 CET del 2 dicembre 2025. Il webinar sarà condotto da Mark Patrick,...