Nuova tecnologia per i Mosfet di Toshiba

Toshiba Electronics Europe ha sviluppato un Mosfet a canale N da 40 V basato sul processo produttivo U-MOS11-H di ultima generazione. Il dispositivo, siglato TPHR6704RL, è ottimizzato per l’impiego negli alimentatori a commutazione utilizzati nei data center, ma può essere impiegato anche per apparecchiature industriali come i convertitori DC-DC ad alta efficienza, i regolatori di tensione a commutazione e i driver per motori.

Il processo produttivo utilizzato permette di ottenere un valore tipico di resistenza di on al drain-source (RDS(ON)) di 0,52 mΩ con una tensione di gate-source (VGS) di 10 V e un RDS(ON) massimo di 0,67 mΩ con a una VGS di 10 V. Il produttore evidenzia che questo valore di RDS(ON) è inferiore di circa il 21 % rispetto a quella del modello esistente da 40 V (TPHR8504PL), prodotto usando, invece, il processo U-MOS IX-H.

Tra i vantaggi ci sono anche il miglioramento delle prestazioni di commutazione, con un valore tipico di carica totale di gate (Qg) di 88 nC e una carica di gate (QSW) di 24 nC.

Per quanto riguarda le altre caratterisitiche, Toshiba precisa che il nuovo Mosfet offre una corrente di drain (ID) nominale fino a 420 A e una resistenza termica tra canale e case di 0,71 °C/W a 25 °C, che consente un funzionamento stabile in condizioni di carico elevato. Il dispositivo funziona su un ampio intervallo di temperature, con una temperatura massima di canale (Tch) di 175 °C.

Il package utilizzato è di tipo SOP Advance (N), mentre per lo sviluppo, il produttore offre un set completo di tool per semplificare la progettazione.

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