Nuovi Mosfet EcoSiC da Rohm

Rohm  ha sviluppato, nell’ambito della serie EcoSiC,  Mosfet SiC di quinta generazione ottimizzati per applicazioni di potenza ad alta efficienza.

Il produttore precisa che questa tecnologia è particolarmente adatta per i sistemi di powertrain elettrici nel settore automotive, come gli inverter di trazione per i veicoli elettrici,ma anche per gli alimentatori per server per AI e per apparecchiature industriali come i data center.

L’azienda ha iniziato a supportare il mercato dei bare dies con Mosfet SiC di quinta generazione nel 2025 e ne ha completato lo sviluppo nel marzo 2026. A partire dal Luglio 2026, Rohm fornirà campioni di dispositivi discreti e moduli che incorporano Mosfet SiC di quinta generazione.

I Mosfet SiC di quinta generazione di nuova concezione sono caratterizzati da un resistenza di ON durante il funzionamento ad alta temperatura (Tj=175 °C) ridotta di circa il 30% rispetto ai prodotti di quarta generazione (a parità di tensione di breakdown e dimensioni del chip).

Questo miglioramento contribuisce a ridurre le dimensioni delle unità, aumentando al contempo la potenza di uscita nelle applicazioni ad alta temperatura, come per esempio gli inverter di trazione per veicoli elettrici.

Il produttore prevede di ampliare la sua linea di Mosfet SiC di quinta generazione con ulteriori opzioni di tensioni di breakdown e package.

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