I SiC di Infineon per la bZ4X di Toyota
Infineon Technologies ha comunicato Toyota ha adottato i MOSFET CoolSiC per il suo nuovo modello bZ4X. Nello specifico, questi componenti di Infineon sono stati integrati nel caricabatterie di bordo (OBC) e nel convertitore CC/CC. I MOSFET CoolSiC sfruttano i vantaggi del carburo di silicio per quanto riguarda aspetti come basse perdite, elevata resistenza termica e capacità di alta tensione, elementi che contribuiscono a estendere l’autonomia di guida e ridurre i tempi di ricarica.
I MOSFET CoolSiC di Infineon sono caratterizzati da una struttura trench per il gate che riduce la resistenza di conduzione e le dimensioni del chip, consentendo di ridurre le perdite sia di conduzione che di commutazione e contribuendo a ottenere una maggiore efficienza nei sistemi di alimentazione per autoveicoli. Inoltre, l’ottimizzazione di altri parametri, come per esempio la capacità parassita e la tensione di soglia del gate, contribuiscono alla semplificazione dei circuiti di pilotaggio per la trasmissione elettrica per autoveicoli e supportano la progettazione ad alta densità e alta affidabilità per convertitori OBC e DC/DC.
“Siamo molto orgogliosi che Toyota, una delle più grandi case automobilistiche al mondo, abbia scelto la tecnologia CoolSiC di Infineon. Il carburo di silicio migliora l’autonomia, l’efficienza e le prestazioni dei veicoli elettrici e rappresenta quindi un elemento fondamentale per il futuro della mobilità”, ha affermato Peter Schaefer, Vicepresidente Esecutivo e Chief Sales Officer Automotive di Infineon. “Grazie alla nostra dedizione e al nostro impegno per l’innovazione e la qualità zero-defect, siamo ben posizionati per soddisfare la crescente domanda di elettronica di potenza per l’elettromobilità”.
Contenuti correlati
-
Collaborazione tra Infineon e LS Electric
Lo sviluppo di soluzioni di infrastruttura di alimentazione in corrente continua ad alta efficienza per i data center dedicati all’AI e le reti elettriche di nuova generazione sono gli elementi al centro della collaborazione tra Infineon Technologies...
-
I nuovi Mosfet Super Junction da 600 V di Rohm
Rohm ha ampliato la gamma di Mosfet Super Junction da 600 V con due nuove serie, siglate rispettivamente R60xxXNx e R60xxWNx. Una peculiarità interessante è che l’azienda propone questi componenti in un package per montaggio superficiale dalle elevate...
-
Package innovativo per il nuovo Mosfet di AOS
Alpha and Omega Semiconductor (AOS) ha presentato AOPL66801, un Mosfet a 80 V caratterizzato da un package innovativo. Il nuovo componente utilizza infatti un DFN6x5 AmpStack, basato su una tecnologia a die stacked che consente la realizzazione...
-
I Mosfet di Infineon per Advantics
Infineon Technologies ha annunciato che fornirà Mosfet CoolSiC da 1200 V e i relativi driver di gate a doppio canale EiceDRIVER 2EDB9259Y ad Advantics, azienda focalizzata sull’elettronica di potenza al carburo di silicio (SiC) e sui sistemi...
-
Toshiba amplia la gamma di Mosfet di potenza
Toshiba Electronics Europe ha realizzato un nuovo Mosfet di potenza a canale N da 80 V destinato ad applicazioni come per esempio alimentatori industriali switching ad alta efficienza integrati in data center e stazioni base di comunicazione....
-
Infineon: transceiver radar 8Tx8Rx
Infineon Technologies ha annunciato l’inizio della produzione del chip Rasic CTRX8188F, un Mmic (Monolithic microwave integrated circuit) di nuova generazione. Si tratta di un ricetrasmettitore radar 8Tx8Rx per il mercato dei radar di imaging 4D e HD per...
-
Una piattaforma UWB da Infineon
La famiglia Airoc UWB TSL100 di Infineon Technologies inaugura una piattaforma UWB (ultra wide band) scalabile pensata per supportare standard futuri come quello IEEE 802.15.4ab ed è conforme agli standard dei consorzi di settore come CCC, Aliro...
-
Infineon: valutazione su cloud delle MCU
Infineon Technologies ha realizzato una piattaforma virtuale, in collaborazione con Amazon Web Services (AWS), per accelerare la valutazione dei microcontrollori e ridurre i cicli di sviluppo per i sistemi automotive. Questa piattaforma virtuale consente di eliminare la...
-
Nove Mosfet di potenza da Toshiba
Toshiba ha aggiunto alla sua offerta di Mosfet di potenza nove dispositivi disponibili in tre tipi di package a elevata dissipazione di calore. La nuova gamma utilizza infatti i package SOT-23F, TSOP6F e UDFN6B e sono destinati a...
-
Rohm amplia l’offerta di Mosfet per automotive
Sono destinati ai sistemi di alimentazione in ambito automotive i nuovi Mosfet della serie AG16xFNxx di Rohm. Si tratta di componenti da 80V progettati per i sistemi di alimentazione a 48 V che si stanno affermando come...











