Littelfuse presenta un nuovo MOSFET da 200 V e 480 A

Littelfuse ha introdotto il MOSFET di potenza Ultra Junction classe X4 MMIX1T500N20X4. Questo nuovo componente a canale a N da 200 V e 480 A offre un valore di RDS(on) particolarmente basso (1,99 mΩ), permettendo una elevata efficienza in termini di conduzione, una gestione termica semplificata e un’affidabilità del sistema migliorata in design a elevata densità di potenza.

Particolarmente interessante è anche il tipo di package utilizzato, un SMPD-X isolato a base di ceramica e ad alte prestazioni con raffreddamento della parte superiore per una gestione termica ottimale.

Littelfuse fa notare che i nuovi dispositivi consentono ai progettisti di consolidare più dispositivi a bassa corrente in parallelo in un unico dispositivo ad alta corrente, semplificando il design e riducendo il numero di componenti. I vantaggi di questa soluzione sono molteplici e comprendono , per esempio, il miglioramento dell’affidabilità del sistema, la semplificazione dell’implementazione e di incrementare sia la densità di potenza sia l’efficienza dello spazio sul PCB.

Il produttore indica, per le possibilità di impiego, che il nuovo componente può essere utilizzato per gli interruttori di carico CC, i sistemi di accumulo di energia nelle batterie, alimentatori industriali e di processo, infrastrutture di ricarica industriale, ma anche droni e piattaforme per decollo e atterraggio verticali (VTOL).

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