Toshiba presenta un MOSFET DTMOSVI da 600 V

TK057V60Z è un nuovo MOSFET a super giunzione a canale N di Toshiba che offre una tensione drain-source (VDSS) di 600 V con una corrente di drain (ID) fino a 40 A.

Le altre principali caratteristiche tecniche comprendono un valore tipico della resistenza di drain-source (RDS(ON)) di 0,047 Ω (0,057 Ω max.) e il valore tipico di carica di gate (Qgd) di 15 nC.

Questo nuovo componente di Toshiba è ospitato in un package compatto DFN8×8 e, unitamente alla sua elevata efficienza, permette di massimizzare la densità di potenza negli apparecchi industriali. Le possibili applicazioni di questo nuovo MOSFET includono gli alimentatori a commutazione per i server dei data center, i gruppi di continuità e i convertitori di potenza fotovoltaici.

TK057V60Z fa parte della serie di dispositivi DTMOSVI da 600 V, di cui Toshiba ha ottimizzato la progettazione e il processo di produzione. I miglioramenti introdotti riducono le perdite di conduzione, di pilotaggio e di commutazione, aumentando significativamente l’efficienza nei circuiti di alimentazione.

Toshiba offre inoltre tool a supporto della progettazione circuitale degli alimentatori a commutazione. Oltre al modello G0 SPICE, che verifica rapidamente il funzionamento del circuito, sono attualmente disponibili i modelli G2 SPICE altamente accurati che riproducono con precisione le caratteristiche in transitorio.

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