Toshiba presenta un MOSFET DTMOSVI da 600 V

TK057V60Z è un nuovo MOSFET a super giunzione a canale N di Toshiba che offre una tensione drain-source (VDSS) di 600 V con una corrente di drain (ID) fino a 40 A.

Le altre principali caratteristiche tecniche comprendono un valore tipico della resistenza di drain-source (RDS(ON)) di 0,047 Ω (0,057 Ω max.) e il valore tipico di carica di gate (Qgd) di 15 nC.

Questo nuovo componente di Toshiba è ospitato in un package compatto DFN8×8 e, unitamente alla sua elevata efficienza, permette di massimizzare la densità di potenza negli apparecchi industriali. Le possibili applicazioni di questo nuovo MOSFET includono gli alimentatori a commutazione per i server dei data center, i gruppi di continuità e i convertitori di potenza fotovoltaici.

TK057V60Z fa parte della serie di dispositivi DTMOSVI da 600 V, di cui Toshiba ha ottimizzato la progettazione e il processo di produzione. I miglioramenti introdotti riducono le perdite di conduzione, di pilotaggio e di commutazione, aumentando significativamente l’efficienza nei circuiti di alimentazione.

Toshiba offre inoltre tool a supporto della progettazione circuitale degli alimentatori a commutazione. Oltre al modello G0 SPICE, che verifica rapidamente il funzionamento del circuito, sono attualmente disponibili i modelli G2 SPICE altamente accurati che riproducono con precisione le caratteristiche in transitorio.

Contenuti correlati

• 
  Toshiba: Mosfet a 80 V per automotive

  I Mosfet XPH2R608QB e XPH3R908QB di Toshiba sono componenti a canale N da 80 V conformi allo standard AEC-Q101, che espandono la gamma a supporto dei sistemi automotive a 48 V. Questi prodotti sono realizzati utilizzando il...
• 
  Toshiba presenta sei bus transceiver

  Toshiba Electronics Europe ha aggiunto sei nuovi bus transceiver a doppia alimentazione alla sua serie 74AVC. Si tratta di quattro modelli a 1 bit (74AVC1T45NX, 74AVCH1T45NX, 74AVC1T45FU e 74AVCH1T45FU) e due nuovi prodotti a 2 bit (74AVC2T45FK...
• 
  Nuovi Mosfet EcoSiC da Rohm

  Rohm  ha sviluppato, nell’ambito della serie EcoSiC,  Mosfet SiC di quinta generazione ottimizzati per applicazioni di potenza ad alta efficienza. Il produttore precisa che questa tecnologia è particolarmente adatta per i sistemi di powertrain elettrici nel settore automotive,...
• 
  Nuova tecnologia per i Mosfet di Toshiba

  Toshiba Electronics Europe ha sviluppato un Mosfet a canale N da 40 V basato sul processo produttivo U-MOS11-H di ultima generazione. Il dispositivo, siglato TPHR6704RL, è ottimizzato per l’impiego negli alimentatori a commutazione utilizzati nei data center,...
• 
  Diodes amplia l’offerta di Mosfet per automotive

  Diodes ha aggiunto al suo portfolio di Mosfet a canale N con package PowerDI8080-5 conformi agli standard automotive un componente da 100 V con una resistenza RDS(ON) particolarmente bassa. Questo Mosfet è stato introdotto insieme a nuovi...
• 
  Sette nuovi Mosfet a super giunzione da Toshiba

  Toshiba ha esteso la sua serie di Mosfet Dtmosvi 600 V con struttura a super giunzione con i nuovi componenti a canale N Dtmosvi 600 V HSD (con diodo ad alta velocità). Si tratta di sette nuovi...
• 
  I nuovi Mosfet di Ideal Semiconductor

  Ideal Semiconductor ha ampliato la sua offerta di Mosfet SuperQ da 200 V con nuovi modelli caratterizzati da valori di RDS (on) particolarmente ridotti. La versione con packge di tipo TOLL offre infatti una RDS(on) massima di...
• 
  Fotorelè di nuova generazione da Toshiba

  I quattro nuovi fotorelè di Toshiba Electronics Europe sono destinati a rispondere alle esigenze dei progettisti che operano su apparecchiature di test e misura di prossima generazione. I nuovi prodotti sono siglati TLP3407SRB, TLP3412SRB, TLP3412SRHB e TLP3412SRLB e...
• 
  Toshiba presenta uno switch high-side per automotive

  Il nuovo switch high-side TPD7110F di Toshiba Electronics Europe opera come controller a diodo ideale con protezione contro l’inversione di polarità e una funzione di blocco della corrente, contribuendo alla sicurezza dell’alimentazione nei sistemi automotive. Il nuovo componente...
• 
  I SiC di Infineon per la bZ4X di Toyota

  Infineon Technologies ha comunicato Toyota ha adottato i MOSFET CoolSiC per il suo nuovo modello bZ4X. Nello specifico, questi componenti di Infineon sono stati integrati nel caricabatterie di bordo (OBC) e nel convertitore CC/CC. I MOSFET CoolSiC sfruttano...