Memorie non volatili MRAM: la possibilità di un’unica memoria di lavoro e per back up dati in un sistema

Dalla rivista:
Elettronica Oggi

 

Contenuti correlati

• 
  IDC: le memorie condizionano le consegne di PC

  Secondo IDC, la carenza di memorie sta determinando una diminuzione delle consegne di PC, nel secondo trimestre del 2026, di circa il 4,9% su base annua. Gli analisti comunque precisano che questo calo è legato anche ad...
• 
  Accordo per le memorie tra Micron e Ford

  Micron Technology e Ford Motor Company hanno siglato un accordo strategico a lungo termine per le memorie. In particolare, l’accordo ha come obiettivo il rafforzamento della fornitura di soluzioni di memoria e storage a supporto della produzione...
• 
  KIOXIA spedisce i campioni di memoria BiCS FLASH 3D 512Gb TLC di 9a generazione

  KIOXIA Europe ha iniziato le spedizioni dei primi dispositivi campione, destinati al controllo funzionale, delle sue memorie TLC (Triple-Level Cell) da 512 GB che incorporano la tecnologia di memoria flash BiCS FLASH 3D di 9a generazione. L’azienda...
• 
  Il paradosso del backup: sentirsi al sicuro potrebbe essere il rischio più grande

  Nell’era digitale, la protezione dei dati è tutto. Da oltre un decennio, il World Backup Day serve a ricordare l’importanza di salvaguardare i nostri dati. Tuttavia, poiché le minacce informatiche diventano sempre più sofisticate, affidarsi esclusivamente ai...
• 
  Memorie per l’intelligenza artificiale

  La memoria SCM (Storage Class Memory) si propone come una valida opzione rispetto ai tradizionali metodi di archiviazione basati su DRAM o flash, in grado di garantire costi competitivi  senza penalizzare le prestazioni Leggi l’articolo completo su...
• 
  Dispositivi di memoria per sistemi embedded, le opportunità della MRAM

  Il sistema di memorizzazione basato su tecnologia magnetoresistiva è di tipo non volatile e fornisce diversi benefici rispetto alle convenzionali memorie SRAM e DRAM. In virtù delle proprie caratteristiche, la tecnologia MRAM può soddisfare differenti casi d’uso in...
• 
  Una nuova soluzione IP LPDDR5X a 8533 Mbps da Cadence

  Cadence Design Systems ha annunciato la disponibilità della sua nuova soluzione IP per memorie LPDDR5X. Questa interfaccia di memoria LPDDR5X ottimizzata per operare a 8533Mbps è -sottolinea Cadence- fino al 33% più veloce rispetto alla precedente generazione...
• 
  Winbond espande la produzione di SDRAM DDR3

  Winbond Electronics ha introdotto alcuni miglioramenti alla sua linea di memorie DDR3 destinati a incrementare le prestazioni in termini di velocità. La roadmap della società prevede memorie SDRAM DDR3 con capacità da 1 a 4 Gb, DDR2...
• 
  Le nuove memorie UFS di KIOXIA compatibili MIPI M-PHY v5.0

  KIOXIA Europe ha iniziato il campionamento dei primi dispositivi di memoria flash embedded Universal Storage Flash (UFS) compatibili con l’interfaccia MIPI M-PHY v5.0, e quindi capaci di comunicare a velocità decisamente elevate. I primi campioni sono quelli...
• 
  Renesas Develops two news technologies for embedded STT-MRAM

  Renesas Electronics Corporation announced the development of two technologies that reduce the energy and voltage application time for the write operation of spin-transfer torque magnetic random-access memory (STT-MRAM, hereinafter MRAM). On a 20-megabit (Mbit) test chip with...