Driver radiation-hardened da Infineon

RIC70115 è un driver per Hemt (High-Electron Mobility Transistor) di Infineon. Peculiarità di questo nuovo componente è la resistenza alle radiazioni (Rad Hard) che lo rende utilizzabile per applicazioni satellitari e spaziali ad alta affidabilità, dove le prestazioni di conversione dell’energia e l’integrità operativa a lungo termine sono requisiti critici.

RIC70115 supporta design basati sia su Mosfet in silicio che GaN in configurazioni low-side e high-side, offrendo ai progettisti di sistemi di alimentazione una maggiore flessibilità nell’adozione di architetture di potenza basate su GaN per piattaforme spaziali, senza compromettere la sicurezza operativa al variare delle condizioni di tensione

Infineon precisa che il nuovo componente integra una funzione indipendente di Miller Clamp che previene l’accensione indotta da effetti parassiti pur mantenendo la velocità di commutazione desiderata, riducendo così le perdite di commutazione e migliorando l’efficienza complessiva.

Uno stadio logico con Truly Differential Input garantisce un’elevata immunità al rumore, mentre un regolatore LDO (Low Dropout) integrato genera una tensione di pilotaggio di 4,8 V rigorosamente regolata a partire da una sorgente a 5 V o 12 V: In questo modo si riduce la necessità di componenti di regolazione esterni e si supporta un intervallo di tensione in ingresso compreso tra 4,75 V e 15 V.

Il dispositivo RIC70115 soddisfa inoltre i requisiti della norma MIL-PRF-38535 in un intervallo di temperatura operativa esteso, compreso tra -55°C e 125°C.

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