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Driver radiation-hardened da InfineonRIC70115 è un driver per Hemt (High-Electron Mobility Transistor) di Infineon. Peculiarità di questo...
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Gli HEMT EcoGaN di ROHM per gli alimentatori di MurataROHM ha annunciato che la serie di HEMT EcoGaN da 650 V, basati su...
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Package TOLL per i nuovi HEMT GaN di ROHMROHM ha sviluppato GNP2070TD-Z, degli HEMT GaN da 650 V nel package TOLL (TO-LeadLess)....
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Riconoscimento alla Innovation Zone europea di TSMC per gli HEMT ICeGaN di CGDIl SoC HEMT GaN ICeGaN di Cambridge GaN Devices (CGD) ha ottenuto il riconoscimento...
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Inizia la produzione in volumi degli HEMT al GaN da 650 V di ROHMROHM ha annunciato l’inizio della produzione in volumi degli HEMT GaN da 650 V,...
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Innoscience amplia la famiglia di dispositivi a 650 VInnoscience Technology ha realizzato una gamma di dispositivi HEMT GaN a 650 V funzionanti...
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Gli HEMT GaN bidirezionali Bi-GaN di Innoscience adottati da OPPOInnoscience Technology ha presentato la serie Bi-GaN di dispositivi HEMT bidirezionali per la ricarica...
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Innoscience: il primo dispositivo GaN per telefoni cellulariInnoscience Technology ha annunciato INN40W08, un transistor HEMT GaN-on-Si bidirezionale da 40V per dispositivi...
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Siemens acquisisce Precision InnovationsSiemens ha siglato un accordo per l’acquisizione di Precision Innovations, azienda specializzata in software...
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Accordo strategico tra Molex e PrysmianMolex ha siglato un accordo di fornitura a lungo termine con Prysmian, azienda focalizzata...
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Maturità per la tecnologia High NA Euv di AsmlLa tecnologia High NA Euv di Asml ha raggiunto la fase di maturità consentendo...
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Melexis presenta un nuovo driver per ventoleMelexis ha ampliato la famiglia di driver per ventole di raffreddamento MLX90412 con un...
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