Inizia la produzione in volumi degli HEMT al GaN da 650 V di ROHM

ROHM ha annunciato l’inizio della produzione in volumi degli HEMT GaN da 650 V, ottimizzati per un’ampia serie di applicazioni dei sistemi di potenza. Si tratta dei modelli GNP1070TC-Z e GNP1150TCA-Z, messi a punto congiuntamente con Ancora Semiconductors – affiliata di Delta Electronics – che sviluppa dispositivi GaN.

Questi componenti sono utilizzabili per una vasta serie di sistemi di potenza previsti dalle apparecchiature industriali e dai dispositivi consumer, compresi server e adattatori AC.

I modelli GNP1070TC-Z e GNP1150TCA-Z offrono elevate prestazioni in termini di RDS(ON) × Ciss / RDS(ON) × Coss, che si traducono in una maggiore efficienza dei sistemi. Al tempo stesso, un elemento di protezione integrato contro le ESD migliora fino a 3,5 kV la resistenza elettrostatica alle scariche, conferendo così maggior affidabilità alle applicazioni. Le caratteristiche di commutazione ad alta velocità degli HEMT al GaN contribuiscono inoltre alla maggiore miniaturizzazione dei componenti.

Contenuti correlati

• 
  Driver radiation-hardened da Infineon

  RIC70115 è un driver per Hemt (High-Electron Mobility Transistor) di Infineon. Peculiarità di questo nuovo componente è la resistenza alle radiazioni (Rad Hard) che lo rende utilizzabile per applicazioni satellitari e spaziali ad alta affidabilità, dove le...
• 
  I nuovi Mosfet Super Junction da 600 V di Rohm

  Rohm  ha ampliato la gamma di Mosfet Super Junction da 600 V con due nuove serie, siglate rispettivamente R60xxXNx e R60xxWNx. Una peculiarità interessante è che l’azienda propone questi componenti in un package per montaggio superficiale dalle elevate...
• 
  Rohm amplia l’offerta di Mosfet per automotive

  Sono destinati ai sistemi di alimentazione in ambito automotive i nuovi Mosfet della serie AG16xFNxx di Rohm. Si tratta di componenti da 80V progettati per i sistemi di alimentazione a 48 V che si stanno affermando come...
• 
  Da Rohm un package per Mosfet SiC

  TSC3PAK è la sigla di un nuovo package per Mosfet SiC sviluppato da Rohm. Misura 14×18,58×3,50 mm e utilizza una struttura di dissipazione del calore top-side che colloca la superficie di dissipazione sulla parte superiore del package....
• 
  Rohm a Pcim Europe 2026

  Pcim Expo & Conference 2026 vedrà Rohm impegnata in diverse dimostrazioni focalizzate sulle sue tecnologie per i semiconduttori di potenza e su come possano essere utilizzate per miniaturizzare i sistemi e ridurre le perdite di energia in...
• 
  Rohm: diodi ESD per interfacce oltre i 10 Gbps

  La serie di diodi ESD RESDxVx realizzata da Rohm è in grado di raggiungere sia una bassa resistenza dinamica (Rdyn) che una bassissima capacità. Queste caratteristiche rendono idonei i nuovi componenti all’utilizzo per un’ampia gamma di applicazioni...
• 
  Da Cyient Semiconductors 7 dispositivi GaN da 650 V

  Cyient Semiconductors ha presentato i primi risultati della sua collaborazione strategica con Navitas Semiconductor annunciata a dicembre 2025. Si tratta di sette nuovi dispositivi GaN destinati al mercato indiano, sviluppati sulla tecnologia di Navitas. In base ai...
• 
  Rohm: chipset per alimentazione wireless

  Rohm ha realizzato un chipset per sistemi di alimentazione wireless utilizzabile per dispositivi indossabili compatti, come smart ring e smart band, o anche per periferiche come le smart pen. Il chipset è formato dal ricevitore ML7670 e...
• 
  Nuovi Mosfet EcoSiC da Rohm

  Rohm  ha sviluppato, nell’ambito della serie EcoSiC,  Mosfet SiC di quinta generazione ottimizzati per applicazioni di potenza ad alta efficienza. Il produttore precisa che questa tecnologia è particolarmente adatta per i sistemi di powertrain elettrici nel settore automotive,...
• 
  Nuovi gate driver da STMicroelectronics

  STMicroelectronics ha realizzato due nuovi gate driver che ottimizzano i vantaggi della tecnologia GaN. Si tratta due dispositivi half-bridge ad alta velocità, siglati rispettivamente Stdriveg212 e Stdriveg612 utilizzabili per applicazioni di potenza e controllo del movimento in...