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ercati
EON
ews
n.
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-
maggio
2013
in particolare per l’eolico e il
solare. In ambito consumer
la domanda di questi compo-
nenti viene dai progettisti di
alimentatori switching, con-
trollo motori a bassa poten-
za e sistemi di riscaldamento
a induzione. I prezzi elevati
possono tuttavia costituire
un ostacolo alla loro diffu-
sione e uno dei trend rilevato
nello studio di Technavio è
una concorrenza sempre più
spinta tra i produttori. Con-
correnza che si traduce
anche in una crescente
attenzione all’ottimizza-
zione dei componenti
e alla realizzazione di
dispositivi di potenza
discreti su misura di
applicazione. A fare la
parte del leone sono,
come di consueto, i
transistor: le cifre for-
nite da IC Insights lo
scorso aprile dicono
che nel 2012 il 57% del fat-
turato globale dei discreti era
dovuto a prodotti contenen-
ti transistor di potenza, una
percentuale destinata a sali-
re al 61% nel 2017. La situa-
zione economica sfavorevole
ha determinato una contra-
zione dell’8% nelle vendite
di transistor di potenza, il cui
fatturato 2012 si è assestato
sul valore di 12,3 miliardi di
dollari. Nel corso degli ultimi
dieci anni questa è la terza
volta che si verifica una con-
trazione in questo segmento;
le altre due si sono verificate
nel 2009 (-16%) e nel 2005
(-5%). Al tonfo del 2009 han-
no fatto seguito due anni di
crescita a doppia cifra: +44%
nel 2010 e +12% nel 2011,
anno in cui si è stabilito il re-
cord di 13,5 miliardi di dol-
lari di fatturato. Secondo gli
esperti di IC Insights c’è da
attendersi un ritorno al positi-
vo anche dopo le prestazioni
negative del 2012: la crescita
stimata per il 2013 è del 7%
(per un fatturato complessi-
vo di 13,2 miliardi di dollari),
mentre per il 2014 è atteso
un nuovo fatturato record di
14,3 miliardi di dollari (corri-
spondente a +8% su quello
dell’anno precedente). Sem-
pre secondo IC Insights, il
fatturato dei transistor di po-
tenza è destinato a crescere
con un Cagr del 8,5% tra il
2012 e il 2017, contro il 7,0%
dell’intero mercato dei se-
miconduttori discreti. Ad ali-
mentare la domanda di tran-
sistor discreti è la crescente
diffusione di apparecchiature
portatili alimentate a batteria,
dei veicoli a trazione elettrica
e ibrida e dei generatori a
energia eolica e solare. In
termini di categorie di pro-
dotto, le maggiori opportunità
di crescita sono riservate ai
Mosfet di potenza per bas-
se tensioni (fino a 40V) che
sul periodo sopra indicato
vedranno un Cagr del 9,7%;
seguono i moduli a IGBT e
gli IGBT discreti, rispettiva-
mente con Cagr del 9,2% e
dell’8.8%, e i Fet per tensioni
superiori a 400 V, le cui pre-
visioni di Cagr si attestano
sull’8,6%. Su un arco tem-
porale più lungo le categoria
di prodotto più promettenti
– quantomeno in termini di
G
li analisti di
han-
no rilevato che nel corso del
2012 il mercato aggregato
OSD (Optoelettronica, Sen-
sori e componenti Discreti)
ha fatto registrare un fattu-
rato globale di 58,2 miliardi
di dollari, corrispondente a
una crescita del 2% rispetto
ai 57,4 miliardi del 2011. Si
tratta di un’espansione infe-
riore di 7 punti al preceden-
te pronostico dalla stessa IC
Insights. Queste prestazioni
vanno tuttavia inquadrate nel
contesto di un quadro globa-
le piuttosto delicato, che ha
visto un progressivo deterio-
ramento delle prospettive di
crescita dell’economia globa-
le per tutto il 2012. Le previ-
sioni per quest’anno – sem-
pre in termini globali – sono
comunque cautamente posi-
tive: secondo IC Insights tutte
e tre le categorie di prodotto
OSD avranno opportunità
di crescita migliori di quelle
sperimentate nel corso del
2012. Prestazioni 2012 che,
quantomeno in termini relati-
vi, non hanno deluso specie
considerando che il segmen-
to dei circuiti integrati ha su-
bito una contrazione del 4%.
La fetta OSD del mercato dei
componenti elettronici è pas-
sata dal 18% del 2011 al 19%
del 2012, un nuovo massimo
che ha visto record di vendite
in ben sette categorie di pro-
dotto: due in optoelettronica,
quattro nei sensori e uno nei
discreti (transistor di poten-
za per radiofrequenza e mi-
croonde). È invece in calo il
fatturato annuale associato
ai componenti discreti a se-
miconduttore, che però nel
2011 aveva fatto registrare
una crescita record del 12%
per arrivare al massimo sto-
rico di 23,4 miliardi di dollari.
Complice la congiuntura eco-
nomica sfavorevole, il 2012
non ha saputo ripetere l’e-
sperienza e il fatturato a fine
anno si è dovuto assestare a
21,7 miliardi di dollari, corri-
spondente a una contrazione
del 7% anno su anno.
Nel report “Global Power Di-
screte Market 2012-2016”,
gli analisti di
sti-
mano che tra il 2012 e il
2016 il mercato dei semicon-
duttori discreti di potenza si
espanderà con un tasso an-
nuale composto di crescita
del 10,9%. A contribuire a
questa crescita sarà soprat-
tutto la domanda mondiale
di componenti per il setto-
re delle energie rinnovabili,
Una “discreta”
ripresa
Dopo la contrazione del 2012
si attende un rimbalzo del
mercato globale dei discreti,
come sempre trainato dai
transistor di potenza
M
assimo
G
iussani
Transistor di
potenza: stime
di fatturato e
unità vendute
tra il 2007 e
2017 (Fonte:
IC Insights)
Tabella 1 - Record di vendite verificatesi nel 2012 in ambito O-S-D. Tra i componenti discreti
si sono distinti solo i transistor di potenza per RF e MW (Fonte IC Insights)
Mercato
Categoria prodotto
Tasso crescita 2012 Record di vendite (US$)
Optoelettronica
Illuminazione
18%
11 miliardi
Sensori d’immagine CMOS
22%
7,1 miliardi
Sensori
Di pressione
11%
1,1 miliardi
Accelerometri
7%
2,5 miliardi
Di campo magnetico
12%
1,4 miliardi
Totali
9%
5,3 miliardi
Discreti
Moduli e transistor di potenza
per RF e microonde
5%
695 milioni
continua a pag.8
