EON
ews
n.
562
-
marzo
2013
12
in gioco passando da poche
celle di memoria a dispositivi
comprendenti miliardi di cel-
le, come la difettosità intrin-
seca, le caratteristiche dei
materiali e l’affidabilità. Poi
esiste il problema di proget-
tare soluzioni circu-
itali per la program-
mazione e la lettura
delle memorie.
Le memorie a cam-
biamento di fase
stanno
entrando
adesso sul mercato.
I prossimi anni ve-
dranno un consoli-
damento con la loro
introduzione in altri
settori applicativi e
lo sviluppo di nuove
architetture per au-
mentarne la densità e
le prestazioni. Del re-
sto ogni innovazione
nel campo della na-
noelettronica richiede
dai 10 ai 15 anni per
passare dai primi
sviluppi all’introdu-
zione sul mercato.
Micron ha sviluppa-
to partnership con
laboratori di ricerca
sia in Italia sia in Eu-
ropa, con contratti
bilaterali e nell’ambi-
to di progetti Europei. Un la-
boratorio del CNR è ospitato
all’interno del sito di Micron
ad Agrate e contatti stretti
esistono con le Università di
Milano (in particolare il Poli-
tecnico), di Pavia e di Napoli.
A livello Europeo Micron ha
un contratto di collabora-
zione con Imec, in Belgio, e
partecipa a numerosi proget-
ti con università e centri di ri-
cerca in Francia, Germania,
Olanda, Spagna. Esistono
anche collaborazioni con al-
tre aziende presenti in Euro-
pa, ad esempio nel campo
della manufacturing science.
...e in STMicroelectronics
Attualmente stiamo svi-
luppando il 14nm node
dell’Ultra Thin Body e BOX
(UTBB) Fully Depleted Sili-
con su tecnologia Insula-
tor (FD-SOI), e il 40nm
node dell’embedded non
volatile (flash) integrata
in un processo standard
CMOS. Sono in fase di svi-
luppo anche, Embedded
Flash PCM (phase
change memories)
and back side illu-
mination (BSI) im-
aging sensors.
Per la tecnolo-
gia leading edge
CMOS a geom-
etrie fra i 28nm
e i 14nm, ST ha
adottato una tec-
nologia
planar
transistor per man-
tenere il processo
produttivo
sem-
plice ed efficiente,
offrendo sempre una
performance di ve-
locità competitiva e
un’efficienza power/
energy eccellente.
Per contro, il resto
dell’industria
ha
deciso di adottare
una struttura 3D più
sfidante e meno ef-
ficiente. Cerchiamo
quindi di sostenere
la nostra tecnologia
di processo FD-
SOI che è semplice e ve-
loce e la stiamo rendendo
disponibile alla comunità
globale dei produttori di
semiconduttori attraverso
la fab di ST a Crolles e tra-
mite GlobalFoundries che
la produrrà a Dresda.
La sfida dei 14nm è una
soluzione competitiva ed
efficiente, che porterà a
un’offerta industriale adat-
ta allo sviluppo e alla pro-
duzione di prodotti di mas-
sa. La tecnologia UTBB
FD-SOI è già una realtà al
28nm node, con un prodot-
to ancora in silicio.
Questo prodotto dimostra
l’efficacia della tecnologia
di processo. Il 14nm node
sarà disponibile per la pro-
totipizzazione del prodotto
da metà 2014.
localizzazione permanente
e processori low power su-
per veloci capaci di far girare
apps full-blow. Stanno quindi
crescendo i sistemi intelli-
genti di regolazione del traf-
fico, le smart grid elettriche
che gestiscono le risorse
sulla base della loro disponi-
bilità e del bisogno. Inoltre la
nanoelettronica sta raggiun-
gendo dimensioni tali da po-
tere interagire con le cellule
biologiche, parti delle cellule
e persino con le molecole.
Nel lungo termine osserve-
remo sostanziali evoluzioni
nella terapia medi-
ca che potrà trattare
molti più pazienti a
costi inferiori degli at-
tuali e intervenire su
un numero più ampio
di malattie.
Micron
La
nanoelettroni-
ca è stata indicata
dalla Commissione
Europea come una
delle sei “Key Enabling
Technologies” necessa-
rie per il futuro sviluppo
dell’Europa.
Pratica-
mente non c’è campo
di applicazione, dalle
comunicazioni, ai tra-
sporti, alla medicina
e al risparmio ener-
getico che possa pre-
scindere dalla nanoe-
lettronica. Ad esempio
nel campo dell’auto-
mobile si stanno affer-
mando concetti di “assisted
driving”, come il riconosci-
mento degli ostacoli, la co-
municazione auto-auto per
prevenire incidenti, mecca-
nismi di navigazione e inte-
razione con le infrastrutture
per rendere più fluido e si-
curo il traffico che richiedono
sensori avanzati, maggiore
capacità di data processing
a basso consumo e capacità
di memoria, che solo i pro-
gressi nella nanoelettronica
possono fornire. Nel campo
della medicina si sta pen-
sando a sistemi in grado di
raccogliere parametri medici
tramite sensori distribuiti sul
corpo, ad esempio nei vestiti,
immagazzinarli e trasmetterli
a un centro di monitoraggio,
per consentire una vita nor-
male a persone che soffrono
di patologie.
La nanoelettronica
nelle aziende
Gli sviluppi della nanoelet-
tronica in Micron
Per Micron Semiconductor
Italia il maggior interesse è
nello sviluppo di nuove tec-
nologie per me-
morie non volatili,
al fine di rimpiaz-
zare le Flash che
sembrano giunte
ai limiti della loro
evoluzione tecno-
logica. Micron Se-
miconductor Italia
è stata protagoni-
sta nello sviluppo
delle memorie a
cambiamento di
fase, che utilizzano
le caratteristiche di
nuovi materiali di
cambiare resistività
in base alla struttu-
ra cristallina, e che
funzionano grazie
alla capacità di
definire strutture
nell’ordine
della
decina di nanome-
tri. Attualmente si
stanno investigan-
do nuove architet-
ture, ad esempio memorie
a cambiamento di fase più
efficienti basate su meta cri-
stalli, o sulla formazione di
nanofili conduttori in soluzio-
ni solide.
Passare dalla prova di fat-
tibilità fisica a livello di la-
boratorio accademico, alla
dimostrazione della realiz-
zabilità industriale, richiede
una comprensione profonda
dei meccanismi fisici e la
considerazione di tutta una
serie di fattori che entrano
M
ercati
- R
eport
segue da pag.11
Hanne Degans,
external
communications
officer di IMEC
Livio Baldi,
external
relations and
funding in
Central R&D
di Micron
Semiconductor
Italia
Dominique
Thomas,
front end
manufacturing
& technology
director, R&D
partnerships di
STMicroelectronics
Giorgio
Cesana,
marketing
director
technology R&D,
digital sector di
STMicroelectronics
