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MEMORYTECH
TECHFOCUS
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- ELETTRONICA OGGI 468 - MARZO 2018
dizionali Flash. Diablo fornisce le MCS nei
due formati da 200 GByte e 400 GByte ed
entrambi consumano 12 W e garantiscono
un tempo di accesso in scrittura inferiore a
5 ms.
Con questa tecnolo-
gia ha recentemente
rilasciato le memorie
Memory1 in forma-
to DDR4 DIMM con
moduli da 128 GByte
scalabili fino a otto
o a sedici per 1 o
2 TByte di capien-
za complessiva. Le
Memory1 è Flash ma
si installa diretta-
mente sul bus delle
DRAM e può essere
gestita direttamente dalla CPU con il softwa-
re Diablo Memory Expansion (DMX).
3D ibride
La tecnologia
3D XPoint Memory
concepita
nei laboratori
Micron
e condivisa con
Intel
è la prima a riuscire a impilare due livelli di
celle di memoria connessi sia in orizzontale
che in verticale.
Esattamente sono 128 milioni le celle non
volatili connesse su due strati da 64 Gbit
per una capienza complessiva di 128 Gbit
ma è la velocità di lettura/scrittura a stu-
pire perché è circa
mille volte maggiore
di quella tipica delle
Flash Nand e perciò
solo dieci volte più
lenta di quella delle
Dram.
Considerando che
una Dram è circa
diecimila volte più
veloce di una Flash
si può dire che il gap
è stato sensibilmente
ridotto e comincia a
diventare confron-
tabile almeno per
alcune applicazioni.
Sulla base del know-
how sviluppato per realizzare le 3D XPoint,
Micron ha più recentemente realizzato le
memorie QuantX sulle quali si trovano inte-
grati quattro chip 3D XPoint con capienza
di 128 Gbit. La stessa tecnologia è sfruttata
da Intel che ha recentemente presentato le
memorie
Optane
SSD DC P4800X capaci
di offrire ben 375 o 750 GByte di capienza
nelle due opzioni in formato U.2 oppure
AIC (Add-In Card)
ma sono già previste
altre memorie con
l’obiettivo di arriva-
re presto a offrire
1,5 TByte.
La velocità è netta-
mente superiore a
quella delle Flash
Nand SSD e garan-
tisce un tempo di
latenza di 10 micro-
secondi con 60 µs
per un ciclo di lettu-
ra e 100 µs per uno
di lettura, corrispondenti a 500mila IOps
(cicli di input/output al secondo). Un’altra
prestazione eccellente è data dai 30 DWPD
(Data Write Per Day) o 12,3 PBW, PetaByte
Written, entrambi in misura dei cicli di
scrittura/cancellazione che assicurano una
durata di vita di queste memorie notevol-
mente superiore sia rispetto alle Dram che
alle Flash.
Queste prestazioni consentono di utilizzar-
le anche a fianco dei processori che non
abbiano requisiti di velocità estremi, confi-
gurando opportunamente l’interfaccia seria-
le PCIe che le con-
nette alla CPU.
Di recente
Toshiba
(acquisita dal con-
sorzio Bain Capital)
ha rilasciato la sua
nuova 3D Flash
Memory realizza-
ta con la tecnologia
proprietaria BiCS che
consente di impilare
fino a ben 64 livelli
di celle non volatili,
ciascuna di tipo TLC
(Triple-Level Cell) in
grado di immagazzi-
nare tre bit, per un
totale di 512 Gigabit
o 64 GigaByte per modulo di memoria.
Con sedici di questi chip in un unico sup-
porto la società ha in cantiere moduli di
memoria non volatile da 1 TeraByte di
capienza.
Fig. 4 – Le memorie Intel Optane SSD DC P4800X in tecnologia
3D XPoint offrono 375 GByte con latenza di 10 μs e durata fino
a 12,3 PBW
Fig. 5 – Le memorie BiCS Flash di Toshiba hanno 64 livelli di
celle non volatili per una capienza complessiva di 512 Gigabit
o 64 GigaByte