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- ELETTRONICA OGGI 461 - APRILE 2017
tive e fabbricati in package PowerPAK SO-8L
di 5x6 mm con tolleranza termica che va da
-55 a 175 °C. Il primo transistor fornisce una
tensione VDS di 20V con un’erogazione di
corrente sul primo canale di 20A abbinata a
una resistenza di conduzione Rds(on) di 8,8
m , mentre sul secondo canale eroga 60A
con una Rds(on) di 3,7 m . Il secondo tran-
sistor fornisce 12V e 20A con Rds(on) di 6,5
m sul primo canale e 60A con Rds(on) di 3,3
m sul secondo canale.
Wolfspeed
Wolfspeed
è recentemente passata da Cree
a Infineon, che ne ha acquistato anche il
centro ricerche di Fayetteville, in Arkansas,
dove i suoi esperti ingegneri hanno conce-
pito e sviluppato il nuovo modulo di poten-
za CAS325M12HM2 in topologia half-bridge,
contenente sette transistor SiC Mosfet da 1,2
kV e Rds(on) di 25 m , più sei diodi Schottky
Z-Rec da 1,2 kV e 50 °C per una corrente
erogata fino a 325A, il tutto con un’induttanza
passiva di 5,5 nH e in un package di 62 mm,
con tolleranza termica fino a 175 °C. Questo
modulo è pensato per i convertitori automoti-
ve con elevate correnti di picco utilizzati nei
veicoli elettrici e ibridi di ogni categoria.
Fig. 7 – Contiene sette Mosfet SiC e sei diodi Schottky il
modulo di potenza CAS325M12HM2 che Wolfspeed propone
per le applicazioni automotive più impegnative fino a 1,2
kV e 325 A
Fig. 5 – Sopporta fino a 225 °C il
MosfetacanaleNSML25SCM650N2B
che TT Electronics ha realizzato in
SiC per essere posizionato molto
vicino alla camera di combustione
per comandare attuatori, iniettori
e valvole
TT Electronics
TT Electronics
ha rilasciato i nuovi Mosfet
a canale N in SiC SML25SCM650N2B per le
applicazioni automotive più impegnative con
erogazione in corrente di 25A alla tensione
di 650V e tolleranza termica fino a ben 225
°C. Questo transistor può stare molto vicino
alle camere di combustione e comandare
gli attuatori elettromeccanici a contatto col
motore come iniettori d’olio, valvole e dispo-
sitivi di recupero dell’energia dispersa, ben
protetto dal package ceramico che lo isola
anche nel caso di moduli di potenza compo-
sti da più transistor. Con questo transistor
TT Electronics ha realizzato un attuatore con
controllo aptico per il pedale dell’accelera-
tore caratterizzato da grande precisione e
pregevole sensibilità d’uso.
Vishay Siliconix
Vishay
Siliconix ha aggiunto nella famiglia
dei suoi Mosfet di potenza TrenchFET i nuovi
SQJ200EP e SQJ202EP a doppio canale N cer-
tificati AEC-Q101 per le applicazioni automo-
Fig. 6 – Erogano 20 A e 60 A su due canali i nuovi transistor
TrenchFET Vishay SQJ200EP e SQJ202EP rispettivamente con
tensione di comando di 12 o 20 V
TECH-FOCUS
MOSFET