EO_461

MOSFET

TECH-FOCUS

- ELETTRONICA OGGI 461 - APRILE 2017

Renesas Electronics

ha realizzato i sei

nuovi Intelligent Power Devices (IPD) HOpe

RAJ28000x per il comando e il controllo degli

attuatori automotive, integrando insieme due

transistor Mosfet a canale N e progettandoli

allo scopo di sostituire tutti i relè elettromec-

canici ed elettronici con comando in tensio-

ne o in corrente, dove le piccole dimensioni

e il minor peso consentono di ridurre l’in-

gombro delle Electronic Control Unit (ECU) a

bordo auto. Per tutti la tensione fornita è di

40V mentre, secondo il modello, la Rds(on)

va da 1,6 a 3,8 m con un carico induttivo

durante le commutazioni che va da 1700 a

500 mJ. Il tutto in package TO-263 a 7 pin con

tolleranza termica fino a 150 °C.

STMicroelectronics

ha realizzato il modulo

di conversione di potenza formato da 32

transistor Mosfet SiC per la nuova release

ZapCharger Pro del caricatore per i veicoli

elettrici e ibridi brevettato dalla società nor-

vegese Zaptec e caratterizzato dalle piccole

dimensioni unite alla sicurezza d’uso e all’in-

telligenza di controllo. Leggero e portatile,

il nuovo ZapCharger Pro si comanda anche

attraverso le connessioni GPRS, Bluetooth,

PLC e WiFi e si installa in garage anche se

non si sa nulla di elettronica. Ha un’efficienza

energetica del 97% che viene ottenuta grazie

ai transistor SiC Mosfet SCTW100N65G2AG,

capaci di pilotare fino a 100A e 650V con una

Rds(on) di 22 m . Costituiscono la 2ª gene-

razione di Mosfet SiC fabbricati da ST e sono

proposti in package HiP247 con tolleranza

termica che va da -55 fino a 200 °C.

Toshiba America Electronic Components

ha ulteriormente ampliato la famiglia dei

transistor Mosfet a canale N con i due nuovi

componenti TK160F10N1L, caratterizzati da

un’erogazione in corrente di 100 o 160 A

adeguata al comando dei motorini elettri-

ci dei servocomandi automotive (sistemi

EPS, Electronic Power Steering e ISS/ISG,

Integrated Start/Stop), nonché dei converti-

tori dc/dc e dei driver per tutte le funzioni

automatizzate a bordo auto. Questi Mosfet

sono fabbricati con il processo brevettato

U-MOS-VIII-H che ne consente di realizzare i

contatti in rame e migliorare l’efficienza ter-

mica e la velocità di commutazione. Entrambi

i transistor hanno Rds(on) di 2,0 m a 10V,

mentre l’uscita in tensione è di 100 V con

tolleranza termica fino a 175 °C.

Fig. 2 – Sono comandabili in tensione oppure in corrente gli

IPD Mosfet Renesas RAJ28000x da 40 V con Rds(on) e carico

induttivo che variano secondo i modelli da 1,6 a 3,8 mΩ e

da 1700 a 500 mJ

Fig. 4 – Il nuovo Mosfet Toshiba TK160F10N1L può erogare

corrente di 100 o 160 A con tensione d’uscita di 100 V fino

a 175 °C

Fig. 3 – È la 2ª generazione dei transistor Mosfet SiC

STMicroelectronics a convertire l’energia con efficien-

za del 97% nell’innovativo caricatore di veicoli elettrici

ZapCharger Pro