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TECH-FOCUS
MOSFET
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- ELETTRONICA OGGI 461 - APRILE 2017
Lucio Pellizzari
La qualità dei transistor a bordo auto oggi può generare valore tanto
quanto i cavalli motore e nelle applicazioni automotive dove serve
maggior potenza sono i Mosfet in carburo di silicio ad affermarsi come
soluzione con il miglior rapporto prestazioni/costi
Mosfet SiC PER
L’ELETTRONICAAUTOMOTIVE
e applicazioni automotive costituiscono
un settore di mercato a se stante per
l’elettronica, perché le condizioni di impiego
più severe richiedono componenti più robusti
rispetto a quelli per l’elettronica consumer; per
soddisfare grandi volumi di mercato hanno nel
contempo esigenza di prezzi inferiori rispetto ai
componenti rugged per l’elettronica industriale
o aerospaziale, dove il livello delle prestazioni
e il livello dei prezzi s’inseguono.
All’interno dei transistor il silicio è ormai
superato soprattutto dal carburo di silicio
SiC, piuttosto che dal GaN, che sembra ormai
per lo più orientato alle applicazioni dove gli
Ampere sono molti di più. Similmente, anche
la tecnologia Mosfet sembra essere più adat-
ta per i sistemi automotive rispetto agli Hemt
(High Electron Mobility Transistor) e agli Igbt
(Insulated Gate Bipolar Transistor) che, pur
avendo prestazioni superiori in termini di
risposta in frequenza, hanno però maggiori
problemi di polarizzazione e costi meno adat-
ti ai grandi volumi di mercato automotive.
L’elettronica automotive è oggi sempre più
orientata all’arricchimento delle funzioni auto-
matizzate come, ad esempio, la perlustrazio-
ne radar dei veicoli circostanti, che consente
di assistere il conducente sulle manovre da
effettuare oppure il proliferare dei controlli
di bordo realizzati con Oled aptici che sono
dispositivi a basso costo ben visibili e capaci
di vibrare un po’ per assicurare il condu-
cente di aver comandato correttamente gli
azionamenti senza distoglierlo dalla guida.
D’altro canto, in ogni autoveicolo si trovano
oggi centinaia di attuatori elettromeccanici a
comando elettronico e i transistor Mosfet e i
diodi in SiC hanno le caratteristiche più adat-
te per i sistemi automatici che li governano.
NXP
NXP
ha introdotto una nuova serie di tran-
sistor Mosfet di potenza per le applicazioni
automotive realizzati in package Loss Free
PAcKage 33, LFPAK33, dove il 33 significa
3,3x3,3 mm. Sono ottimizzati per offrire un’e-
levata potenza nelle dimensioni ridotte di
10,9 mm2 e consentire di realizzare controlli
compatti termicamente efficienti fino a 175
°C. La novità consiste nei contatti in rame che
riducono la resistenza di conduzione e le per-
dite di commutazione e ciò consente loro di
erogare da 9,3 fino a 70 A con Rds(on) che va
da 4,1 a 156 m in un’ampia scelta di tensioni
da 30 fino a 100V.
L
Fig. 1 – I nuovi transistor Mosfet NXP LFPAK33 con contatti
in rame misurano 3,3x3,3 mm e secondo il modello erogano
da 9,3 a 70 A con la tensione che va da 30 a 100 V