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III POWER 12 - NOVEMBRE/DICEMBRE 2016
Rohm Semiconductor ha presentato la sua tecnologia SiC alla prima
gara del campionato di Formula E a Hong Kong come parte della spon-
sorizzazione ufficiale del team Venturi.
La sfida della Formula E è quella di trovare le soluzioni più efficienti per
utilizzare l’energia ottenuta dalle batterie. L’inverter per la terza stagione
di gare utilizza infatti dei diodi SiC Schottky, alleggerendo la macchina di
circa 2kg rispetto all’inverter utilizzato nella seconda stagione.
L’efficienza elettrica, inoltre, è stata migliorata dell’1,7% e il volume dei
componenti per l’estrazione del calore è stata ridotta del 30%.
Per la quarta stagione, l’inverter integrato con MOSFET SiC evidenzierà,
secondo l’azienda, ulteriori miglioramenti.
Rohm introduce la tecnolgoia
SiC nella Formula E
Gli smart meter
raddoppieranno in Europa
entro i prossimi due anni
Berg Insight ha recentemente pubblicato una ricerca in cui stima che
le consegne annuali di smart meter per l’elettricità in Europa dovrebbero
raddoppiare nei prossimi due anni.
Il mercato ha infatti avuto un’accelerazione nel 2016 e le vendite si pre-
vede che dovrebbero raggiungere i 13, 5 milioni di unità durante l’anno.
Nel 2018, invece, le stime indicano che si dovrebbero consegnare circa
27,6 milioni di unità e che il livello di consegne annuali, nella fascia com-
presa tra il 25 e il 30 milioni di unità, dovrebbe essere mantenuto fino alla
fine del decennio.
Dal punto di vista geografico, i Paesi maggiormente interessati nei pros-
simi anni da questa crescita saranno, secondo il report, Austria, Irlanda,
Paesi Bassi, Norvegia, Romania e Spagna, mentre le previsioni per la Ger-
mania restano negative.
Le rinnovabili diversificano
il mix energetico
Il World Energy Resources 2016 evi-
denzia che la forte crescita a livello glo-
bale delle energie rinnovabili ha contri-
buito alla discesa dei prezzi e svincolare
la crescita economica dai gas a effetto
serra. La potenza totale mondiale di
energia basata sulle rinnovabili è rad-
doppiata negli ultimi dieci anni, pas-
sando da 1037GW nel 2006 a 1985GW
entro la fine del 2015.
Questi risultati sono stati possibili so-
prattutto grazie all’incremento del de-
ployment di sistemi a energia eolica e
solare. Nel primo caso la potenza è sa-
lita da 74 GW nel 2006 a 432 GW nel
2015 (420 GW onshore e 12 GW offshore), mentre per l’energia solare la
potenza è cresciuta da 6 GW nel 2006 a 227 GW.
Anche la produzione di energia da fonti idroelettriche è cresciuta dal 2006
al 2015, passando da 893 GW a 1209 GW.
I progetti di Dialog
Semiconductor per i GaN
I componenti con tecnologia GaN
stanno per passare nel mercato
mainstream e non sono più consi-
derati come soluzioni sperimentali.
A supportare questa considera-
zione c’è il recente annuncio da
parte di Dialog Semiconductor
di un componente GaN. Dopo due
anni di collaborazione con TSMC,
il produttore di IC ha infatti svilup-
pato una nuova soluzione formata
da un IC di potenza GaN da 650 V
e relativo controller. Lo SmartGaN
DA8801 è un IC monolitico che
integra gli HEMT (High Electron
Mobility Transistor) GaN-on-silicon
con driver analogici e blocchi logici
in una soluzione half bridge a 650V
per adattatori da 25W a 65W.
Dialog ha deciso di iniziare lo svi-
luppo di soluzioni con tecnologia
GaN dopo l’avvio da parte di TMSC
della produzione di questo tipo di
componenti su wafer da sei pollici.
Power
Calcolatore online
per l’impedenza
dei nuclei di ferrite
Vishay Intertechnology ha messo a disposizione dei progettisti il primo
calcolatore online per l’impedenza dei nuclei di ferrite.
Al link si può infatti
accedere al tool che permette di risparmiare tempo per il calcolo dell’im-
pedenza dei nuclei di ferrite di Vishay a qualsiasi frequenza e con l’appli-
cazione del DC bias. Il calcolatore può essere usato per i nuclei di ferrite
a montaggio superficiale di Vishay in contenitori formato 0603, 0805 e
1206. Questo nuovo tool permette di ridurre i tempi evitando di dover
ricorrere ai datasheet e senza dover sperimentare diversi valori prima di
trovare quello più idoneo.
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