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POWER
IGBT
33 - ELETTRONICA OGGI 448 - SETTEMBRE 2015
passaggio di corrente incontrollato che porterebbe, quin-
di, alla distruzione del dispositivo stesso.
Uno sguardo al mercato
L’analisi di mercato di ha messo
in evidenza come la crescita stimata del mercato glo-
bale IGBT sarà pari a un CAGR del 9,07 % nel periodo
2014-2018. L’attenzione di tutto il mondo nello sviluppo
di energie rinnovabili ne ha accelerato l’utilizzo. Caratte-
ristiche uniche degli IGBT, quali l’alta corrente, hanno in-
crementato il loro ampio utilizzo in applicazioni eoliche e
solari, come ad esempio nei motori delle turbine eoliche
(Fig. 4). La necessità di una maggiore capacità termica e
potenza sta svolgendo un ruolo significativo nel determi-
nare l’adozione di moduli IGBT nelle turbine eoliche.
Secondo il rapport di mercato, la crescita è guidata da
diversi fattori, uno dei quali è la necessità dei dispositivi
elettronici di alta efficienza energetica, che vanno dall’e-
lettronica di consumo fino alle applicazioni ad alta po-
tenza.
Uno dei principali risultati indica che l’Asia è il merca-
to in più rapida crescita per i semiconduttori di Potenza,
guidati dall’industria manifatturiera elettronica in Cina,
Corea del Sud e Taiwan.
Il settore EV/HEV è previsto in più rapida cresci-
ta per gli IGBT nel periodo 2014-2018, con un CAGR
del 21,1%. Altre applicazioni per IGBT sono indivi-
duabili nei gruppi di continuità, negli inverter foto-
voltaici, nella trazione ferroviaria, nelle telecomu-
nicazioni (networking, server) e nell’illuminazione.
La prima posizione nel mercato IGBT è occupata da
seguita da Tra
gli altri protagonisti vi sono
,
,
, e
IC IGBT
I nuovi IGBT con tecnologia TREN-
CHSTOP5 di Infineon si basano su
wafer sottili, con perdite ulteriormen-
te ridotte grazie all’ottimizzazione del
package. Presentati nei mesi scorsi,
hanno una tensione di blocco di 50V,
superiore alle versioni precedenti. Ulte-
riori miglioramenti in termini di tensio-
ne di saturazione (VCE (sat)) portano a
una maggiore affidabilità del dispositi-
vo, riducendo al minimo la necessità di
Fig. 3 – Layout del tiristore parassita per un IGBT
Fig. 4 – Mercato IGBT per la previsione 2011-2018 [Fonte: Yole Développement]
Fig. 5 – Modulo VS-ENQ030L120S