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POWER
IGBT
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- ELETTRONICA OGGI 448 - SETTEMBRE 2015
raffreddamento. Le
principali applica-
zioni si trovano nel
campo automotive
fast switching, vei-
coli elettrici (EV) e
ibridi (HEV) in ap-
plicazioni come il
rifasamento (PFC) e
conversione DC/AC
e DC/DC. Ulteriori
IGBT (Serie L5) di
Infineon sono otti-
mizzati per frequenze di commutazione che vanno da 50
Hz a 20 kHz per applicazioni UPS e inverter solari. La serie
L5 con tecnologia TRENCHSTOP 5 a wafer sottili ha un
valore tipico di tensione di saturazione Vce di 1.05V a 25
°C e livelli di efficienza fino allo 0.1% di miglioramento in
topologia NPC, paragonandoli ai precedenti della stessa
famiglia.
L’utilizzo di una bassa Vce implica, oltre a una maggiore
efficienza, anche una maggiore affidabilità e minori di-
mensioni dei sistemi impiegati nelle applicazioni a bassa
frequenza di commutazione.
Vishay ha immesso sul mercato una serie di IGBT, ultimo
dei quali, per esempio, il modulo VS-ENQ030L120S, che
fornisce una tensione di rottura collettore-emettitore di
1200V e una corrente di collettore di 30A (Figg. 5 e 6).
La tecnologia combina la Trench IGBT con diodi Fred PT
ad alta efficienza per una riduzione dei costi di raffred-
damento. I dispositivi sono offerti in package EMIPAK-1B
(VS-ENQ030L120S) e EMIPAK-2B (VS-ETF075Y60U, VS-
ETF150Y65U e VS-ETL015Y120H).
International Rectifier(IR) – entrata nell’orbita Infineon –
ha recentemente immesso sul mercato i suoi IGBT a 600V
per automotive: AUIRGP66524D0 e AUIRGF66524D0 con
package TO-247 (Fig. 7).
I dispositivi sono sottoposti a metodologie PAT (Part Ave-
rage Testing) di collaudo e trovano applicazione nei vei-
coli elettrici e ibridi. La tecnologia IR è denominata CO-
OLiRIGBT da 24A e caratterizzata da un basso valore di
VCE(ON) di circa 1.6V che garantisce bassi consumi.
La linea di prodotti di Mitsubishi comprende vari tipi di
moduli IGBT, come la serie NF, che ha mantenuto la sua
forma tradizionale, e la serie NFH per la commutazione ad
alta frequenza.
I moduli si sono evoluti dalla tradizionale struttura piana
di chip planare verso la struttura del trench gate e, con
l’adozione del CSTBT (Carrier Stored Trench-Gate Bipolar
Transistor, tecnologia proprietaria di Mitsubishi), ha ulte-
riormente ridotto le perdita di potenza con una maggiore
miniaturizzazione.
NX-Series è uno degli ultimi sviluppi di Mitsubishi Electric
della tecnologia CSTBT IGBT. La serie offre elevata flessi-
bilità utilizzando una piattaforma comune per single, dual,
six-and-seven-packs e CIB (Converter-Inverter-Brake).
Le ampie opzioni di tensione comprendono 600V,
1200V e 1700V. Il package di NX-M (122 mm x 62 mm),
è compatibile con lo standard europeo. Un package
di grandi dimensioni (NX-L) è disponibile in 600A e
1000A/1200V e 400A e 600A/1700V in doppia confi-
gurazione (Figg. 8 e 9).
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Fig. 9 – IGBT CM100TX-24S serie NX di Mitsubishi (connessione interna)
Fig. 6 – Configurazione circuitale del modulo VS-ENQ030L120S
Fig. 7 – Caratteristica Vce per AUIRGP66524D0 (a) e AUIRGF66524D0 (b)
Fig. 8 – IGBT CM100TX-24S serie NX di Mitsubishi