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- ELETTRONICA OGGI 441 - NOVEMBRE/DICEMBRE 2014
di un milione di volte meglio del miglior risultato
ottenuto finora con i precedenti bit quantici e con-
sente di iniziare a sperimentare i primi prototipi di
memorie quantiche, cosa che il team dei ricercatori
tedeschi sta già provando anche se ammette che ci
vorrà ancora tempo.
Il lavoro di Tobias Utikal della
Sandoghdar Division del Max Planck Institute è sta-
to pubblicato su Nature l’11 aprile 2014
.
Memoria ottica quantica
Un’equipe di ricercatori prevalentemente tedeschi
capitanata dai professori C. Berger, M. Kira e S.W.
Koch della
Philipps-Universität Marburg
ha studiato
approfonditamente la correlazione fra la linearità di
emissione della pompa di eccitazione di un laser e
la qualità della radiazione luminosa che va in riso-
nanza nel laser che è responsabile delle proprietà
ottiche dell’emissione generata in uscita. In pratica,
c’è una memoria quantica fra i due campi elettroma-
gnetici tale per cui alcune variazioni di energia sulla
sorgente di pompa si conservano trasformandosi in
oscillazioni ben precise che si sovrappongono sul
fascio emesso dal laser e possono essere ricono-
sciute in opportune condizioni. Questa correlazione
può essere sfruttata per comandare adeguatamen-
te la sorgente di pompa e attribuire al fascio ottico
di uscita del laser delle informazioni che possono
poi essere ritrasformate e adeguatamente interpre-
tate in ricezione. Si tratta a tutti
gli effetti di una nuova forma di
memorizzazione quantica che
può essere utile nella spettro-
scopia oppure per sviluppare
nuove applicazioni di informa-
tica quantistica. Il lavoro è sta-
to pubblicato il 29 agosto 2014
su
Physical Review Letters
.
Memristori nanometrici
Un team di ricerca del
Royal
Melbourne Institute of Techno-
logy
australiano con a capo
l’esperto ricercatore Sharath
Sriramha realizzato dei memri-
stori a livello nanometrico che
possono essere considerati un
importante passo avanti nello
sviluppo dei computer neuro-
morfici del futuro. La ricerca
ha permesso di ottenere dei
prototipi di elementi metallo-
ossido-metallo con dimensioni
inferiori a 10 nm utilizzando l’ossido di perovskite
amorfo (a-SrTiO3) che, a temperatura ambiente, ha
mostrato proprietà resistive bipolari con due va-
lori di resistenza stabili, che possono essere usati
per memorizzare un’informazione binaria in forma
non volatile. I due valori hanno uno switching ra-
tio compreso tra 103 e 104 e una longevità fino a
106 cicli di commutazione e perciò consentono di
impiegare il memristore come elemento fondamen-
tale per realizzare circuiti logici nanometrici. Per i
ricercatori la maggiore difficoltà è stata proprio la
ricerca dei contatti terminali adeguati per ottene-
re un componente realmente
utilizzabile, ma l’equipe ritiene
che migliorando il progetto si
potranno realizzare dispositi-
vi logici e analogici adatti per
dar vita a sistemi elettrici sta-
bili alle dimensioni nanometri-
che. Il lavoro è stato pubblicato
il 26 agosto 2014 da
Advanced
Functional Materials
di Wiley-
VCH Verlag.
Grafene volatile
Alcuni ricercatori del
Kavli
Institute of Nanoscience Delft
olandese con a capo il prof. V.
Singh hanno dimostrato che si
può sfruttare la robustezza dei
fogli di grafene per utilizzarli
nell’inedito ruolo di elemen-
ti di memoria quantica. Per le
loro caratteristiche di robu-
stezza ed elasticità, i fogli di
grafene sono già impiegati in
TECH-FOCUS
NUOVE MEMORIE
Fig. 2 – Alla Philipps-Universität Marburg hanno scoperto come imprigiona-
re nelle emissioni laser unamemoria quantica generata pilotando opportu-
namente la sorgente di pompa
Fig. 3 – All’RMIT sono stati realizzati dei memristori di
10 nm con due valori di resistenza stabili che possono
essere utilizzati come elementi di memoria non vola-
tile oppure come dispositivi logici nanometricI