Un nuovo FET eGaN da EPC per sistemi ad alta densità di potenza

Efficient Power Conversion Corporation (EPC) ha ampliato la sua offerta di transistor a bassa tensione in nitruro di gallio con il nuovo FET GaN EPC2066.

Questo componente, realizzato con la tecnologia enhancement-mode in nitruro di gallio (eGaN), è particolarmente compatto e interessante per funzionare come commutatore nel ramo secondario dei convertitori di potenza DC-DC ad alta densità da 40 V – 60 V a 12 V che vengono richiesti nei più recenti server per applicazioni di intelligenza artificiale.

È anche una soluzione utilizzabile per il ramo secondario dei rettificatori sincroni presenti negli alimentatori a 12 V usati nei server compatti per data center e negli azionamenti ad alta densità per motori elettrici da 24 V – 32 V.

La capacità di funzionare ad alta frequenza e l’elevato rendimento, unita al suo formato da 13,9 mm2, rende questo transistor FET GaN una soluzione interessante per i sistemi elettronici di potenza ad alta densità.

Il transistor EPC2066 ha un formato compatibile con quello del precedente dispositivo Generation 4 di EPC, il modello EPC2024. I miglioramenti introdotti con la tecnologia Generation 5 permettono al transistor EPC2066 di ottenere una riduzione 27% della resistenza di conduzione a parità di area occupata.

Contenuti correlati

• 
  Accordo di licenza tra EPC e Renesas

  Efficient Power Conversion e Renesas hanno siglato un accordo di licenza in base al quale Renesas avrà accesso alla tecnologia eGaN a bassa tensione di EPC e al suo ecosistema di supply chain, accelerando l’adozione di soluzioni GaN...
• 
  I transistor Gen 7 di EPC entrano in produzione di massa

  EPC (Efficient Power Conversion) ha annunciato l’inizio della produzione in volumi del suo primo dispositivo eGaN di settima generazione (Gen 7). Si tratta del modello EPC2366, un transistor di potenza che, secondo le informazioni del produttore, può...
• 
  Da EPC un reference design per azionamenti di precisione

  EPC (Efficient Power Conversion), il produttore di dispositivi di potenza in eGaN, ha annunciato la disponibilità di un reference design studiato per semplificare la realizzazione di robotica umanoide, ma non solo. Si tratta della scheda di valutazione...
• 
  EPC presenta un nuovo reference design

  Efficient Power Conversion (EPC) ha presentato la scheda di valutazione EPC91200, un reference design per inverter per motori brushless DC (BLDC) trifase che semplifica il processo di sviluppo grazie a funzioni studiate appositamente per una rapida implementazione...
• 
  EPC: un progetto di riferimento per amplificatori audio di classe D

  EPC9192 è la sigla di un progetto di riferimento di EPC per la realizzazione di amplificatori audio di classe D particolarmente potenti, compatti ed efficienti. Le alte prestazioni sono legate a un design modulare, che facilita la...
• 
  Ottimizzazione di inverter basati su dispositivi in GaN per il pilotaggio di motori BLDC

  Grazie alle superiori prestazioni di commutazione dei dispositivi in GaN, gli inverter che li utilizzano possono essere ottimizzati riducendo il numero di componenti, diminuendo così il volume complessivo dell’inverter rispetto a quelli basati su MOSFET a bassa...
• 
  Efficient Energy Technology (EET) adotta i transistor in GaN di EPC

  Efficient Energy Technology (EET) ha scelto il transistor di potenza in nitruro di gallio enhancement-mode (eGaN) EPC2204 di Efficient Power Conversion Corporation (EPC) per il suo recente pannello solare da balcone SolMate. L’azienda sottolinea che il transistor...
• 
  EPC: nuovo reference design per inverter GaN-based

  EPC ha annunciato la disponibilità del progetto di riferimento GaN-based di inverter per motori BLDC trifase EPC9194. L’inverter può essere alimentato con una tensione di ingresso compresa tra 14 V e 60 V ed eroga una corrente...
• 
  Da EPC un reference design con FET GaN

  EPC9186 è una scheda che ospita un reference design di EPC per un inverter per motori BLDC trifase che utilizza i transistor FET eGaN EPC2302. La configurazione dell’inverter EPC9186 prevede infatti l’utilizzo di quattro transistor FET EPC2302...
• 
  Packaging di potenza per la nuova generazione di dispositivi di conversione in GaN

  I transistor e i circuiti integrati in GaN inseriti in un package PQFN mantengono i vantaggi in termini di prestazioni e dimensioni degli analoghi dispositivi in formato WLCS, ampiamente utilizzati in applicazioni complesse come quelle automobilistiche, satellitari,...