Ottimizzazione di inverter basati su dispositivi in GaN per il pilotaggio di motori BLDC
Dalla rivista:
EO Power
Grazie alle superiori prestazioni di commutazione dei dispositivi in GaN, gli inverter che li utilizzano possono essere ottimizzati riducendo il numero di componenti, diminuendo così il volume complessivo dell’inverter rispetto a quelli basati su MOSFET a bassa frequenza di commutazione
Leggi l’articolo completo su EO Power33
Federico Unnia, Application Engineer, Motor Drive Design Center - EPC
Contenuti correlati
-
Toshiba: Mosfet a 80 V per automotive
I Mosfet XPH2R608QB e XPH3R908QB di Toshiba sono componenti a canale N da 80 V conformi allo standard AEC-Q101, che espandono la gamma a supporto dei sistemi automotive a 48 V. Questi prodotti sono realizzati utilizzando il...
-
Nuovi Mosfet EcoSiC da Rohm
Rohm ha sviluppato, nell’ambito della serie EcoSiC, Mosfet SiC di quinta generazione ottimizzati per applicazioni di potenza ad alta efficienza. Il produttore precisa che questa tecnologia è particolarmente adatta per i sistemi di powertrain elettrici nel settore automotive,...
-
Nuova tecnologia per i Mosfet di Toshiba
Toshiba Electronics Europe ha sviluppato un Mosfet a canale N da 40 V basato sul processo produttivo U-MOS11-H di ultima generazione. Il dispositivo, siglato TPHR6704RL, è ottimizzato per l’impiego negli alimentatori a commutazione utilizzati nei data center,...
-
Diodes amplia l’offerta di Mosfet per automotive
Diodes ha aggiunto al suo portfolio di Mosfet a canale N con package PowerDI8080-5 conformi agli standard automotive un componente da 100 V con una resistenza RDS(ON) particolarmente bassa. Questo Mosfet è stato introdotto insieme a nuovi...
-
Sette nuovi Mosfet a super giunzione da Toshiba
Toshiba ha esteso la sua serie di Mosfet Dtmosvi 600 V con struttura a super giunzione con i nuovi componenti a canale N Dtmosvi 600 V HSD (con diodo ad alta velocità). Si tratta di sette nuovi...
-
I nuovi Mosfet di Ideal Semiconductor
Ideal Semiconductor ha ampliato la sua offerta di Mosfet SuperQ da 200 V con nuovi modelli caratterizzati da valori di RDS (on) particolarmente ridotti. La versione con packge di tipo TOLL offre infatti una RDS(on) massima di...
-
Accordo di licenza tra EPC e Renesas
Efficient Power Conversion e Renesas hanno siglato un accordo di licenza in base al quale Renesas avrà accesso alla tecnologia eGaN a bassa tensione di EPC e al suo ecosistema di supply chain, accelerando l’adozione di soluzioni GaN...
-
I SiC di Infineon per la bZ4X di Toyota
Infineon Technologies ha comunicato Toyota ha adottato i MOSFET CoolSiC per il suo nuovo modello bZ4X. Nello specifico, questi componenti di Infineon sono stati integrati nel caricabatterie di bordo (OBC) e nel convertitore CC/CC. I MOSFET CoolSiC sfruttano...
-
I transistor Gen 7 di EPC entrano in produzione di massa
EPC (Efficient Power Conversion) ha annunciato l’inizio della produzione in volumi del suo primo dispositivo eGaN di settima generazione (Gen 7). Si tratta del modello EPC2366, un transistor di potenza che, secondo le informazioni del produttore, può...
-
Toshiba presenta un MOSFET DTMOSVI da 600 V
TK057V60Z è un nuovo MOSFET a super giunzione a canale N di Toshiba che offre una tensione drain-source (VDSS) di 600 V con una corrente di drain (ID) fino a 40 A. Le altre principali caratteristiche tecniche...












