ROHM Semiconductor: MOSFET di potenza SiC

ROHM Semiconductor ha recentemente annunciato lo sviluppo della sua seconda generazione di MOSFET SiC (carburo di silicio) ad alta tensione (1200V).
L’SCH2080KE è il primo MOSFET di potenza SiC che integra un SiC SBD (Schottky barrier diode) in un singolo package, mentre in precedenza doveva essere montato esternamente (ROHM comunque ha a listino anche l’SCT2080KE che invece non integra l’SBD).

Questi componenti sono destinati agli inverter per applicazioni fotovoltaiche e ai convertitori per applicazioni industriali. Tra le caratteristiche c’è la bassa perdita di potenza e l’elevata affidabilità, in modo da ridurre i consumi di energia. Il forward voltage (VF) è ridotto di oltre il 70% per una minore perdita di potenza e il ricorso a un numero inferiore di componenti.

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