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XVIII

POWER 11 - GIUGNO/LUGLIO 2016

La nuova generazione

di fotoaccoppiatori di Broadcom

Broadcom Limited

ha presentato

una nuova generazione di foto-

accoppiatori per il pilotaggio di

gate da 5A. Siglati ACPL-352J e

ACNW3430, questi componenti

sono stati progettati per un’am-

pia gamma di applicazioni indu-

striali, tra cui l’azionamento di

motori e invertitori di potenza.

Tra le caratteristiche tecniche va

segnalata una CMTI fino a 100

kV/μs e il supporto di corrente

di uscita rail-to-rail fino a 5A, che

elimina la necessità di un circui-

to tampone in uscita. A questo va

aggiunto un ritardo di propaga-

zione minimo (per ACPL-352J il

valore tipico è di 100 ns mentre

per ACNW3430 è di 80 ns) che

permette, fra l’altro, la commu-

tazione ad alta frequenza per mi-

gliorare l’efficienza nel pilotaggio

di IGBTe MOSFET al carburo di

silicio o nitruro di gallio.

LEM amplia la gamma

di trasduttori

di corrente

LEM

ha annunciato la nuova fa-

miglia di trasduttori di corren-

te closed-loop a effetto Hall LH,

una gamma che può essere mon-

tata su PCB per misurazioni iso-

late e non invasive di correnti

DC, AC e pulsate da 25A a 100A

nominali. La famiglia è composta

da tre modelli: LH 25-NP, LH

50-P e LH 100-P, basati sulla tec-

nologia ASIC di LEM. I modelli

LH 50-P e LH 100-P sono stati

progettati per, rispettivamente,

50A e 100A nominali, mentre LH

25-NP è un modello multi-range

che può essere configurato per

8, 12 o 25A, offrendo l’equiva-

lente di tre trasduttori in un solo

dispositivo. La precisione com-

plessiva è dello 0,5% di IPN ed

è mantenuta sull’intero arco di

temperature tra -40 °C e +85 °C,

con una deriva offset massima

dello 0,1% di IPN.

Power

I primi moduli SiC di Fayetteville

Wolfspeed

ha annunciato la disponibilità del primo modulo di

potenza SiC commerciale, siglato CAS325M12HM2, realizza-

to nella fabbrica di Fayetteville, Arkansas. Si tratta di un mo-

dulo da 62 mm di nuova generazione per applicazioni come

per esempio convertitori, inverter, drive per motori, elettroni-

ca industriale e veicoli elettrici ad alte prestazioni. Il design è

particolarmente compatto, mentre l’efficienza è maggiore del

98%, permettendo quindi di aumentare sensibilmente la densità di potenza rispetto ai disposi-

tivi basati su silicio. Il modulo è configurato con topologia half bridge e integra sette MOSFET

SiC C2M da 1.2 kV e 25 mΩ, e sei diodi Schottky Z-Rec sempre da 1,2 kV e 50A.

L’acquisizione, avvenuta nel 2015, di Arkansas Power Electronics International (APEI), ha per-

messo la realizzazione in tempi molto brevi di questi nuovi moduli SiC.

I moduli di potenza di Infineon per i veicoli elettrici

Infineon Technologies

ha presentato le famiglie di moduli

di potenza HybridPACK Double Sided Cooling (DSC). Que-

sti moduli di potenza rispondono alle esigenze di compat-

tezza e consumi imposti dagli attuali veicoli elettrici. Le mi-

sure sono di 42x42,4x4,77 mm e il settore di applicazione

principale è quello dei veicoli HEV per inverter e generatori

con una potenza tipicamente compresa fra 40 e 50 kW. Per

supportare potenze maggiori è possibile collegarli in paralle-

lo. Il primo componente della nuova famiglia di moduli HybridPACK DSC di Infineon è siglato

FF400R07A01E3_S6 e implementa una I Cnom di 400A e una V CES di 700V in configurazione

half bridge. Gli engineering sample saranno disponibili da settembre 2016 mentre una versione

successiva in configurazione full bridge e I Cnom di 200A è prevista per il mese di ottobre 2016.

Gli IGBT da 1200V di ON Semiconductor

per sistemi a commutazione ad alta potenza

ON Semiconductor

ha introdotto una nuova serie di transistor IGBT

che utilizzano la terza generazione della tecnologia proprietaria Ultra

Field Stop Trench. I componenti sono siglati NGTB40N120FL3WG,

NGTB25N120FL3WG e NGTB40N120L3WG e sono stati progettati

per soddisfare i requisiti delle più recenti applicazioni a commutazio-

ne. Questi dispositivi da 1200V offrono valori di perdite di commuta-

zione (Ets) di 2.7 millijoule (mJ) per il modello NGTB40N120FL3WG, e

di 1,7 mJ per NGTB25N120FL3WG. NGTB40N120L3WG è ottimiz-

zato per basse perdite di conduzione e ha una VCEsat di 1,55V, in corrispondenza della mas-

sima intensità di corrente, con una Ets di 3 mJ. NGTB25N120FL3WG e NGTB40N120FL3WG

sono particolarmente indicati per l’utilizzo nei gruppi di continuità (UPS) e negli inverter, mentre

NGTB40N120L3WG è principalmente pensato per l’uso negli azionamenti dei motori.

Toshiba semplifica il controllo PWM ad alta tensione dei motori BLDC

Toshiba Electronics Europe

ha annunciato un dispositivo HV-IPD integrato da 600V e 5A che

permette di semplificare il controllo PWM ad alta tensione dei motori BLDC per applicazioni

come per esempio elettrodomestici, ventilatori, pompe

industriali. Si tratta del TPD4207F che integra i MOSFET

di potenza ad alta tensione, il circuito di controllo e di

pilotaggio con uscita a ponte trifase, i diodi di bootstrap

e un completo sistema di protezione. Un sistema di con-

trollo completo per un motore BLDC può essere realizza-

to semplicemente applicando i segnali provenienti da un

microcontroller host o controller integrato nel motore agli

ingressi del dispositivo.

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