Elettronica_Oggi_446

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il riferimento di tensione RHD5961, il termometro
RHD5962, il chip RHD5963 che integra entrambi e
poi due convertitori A/D multiplexati RHD5950/8,
tutti in package ceramico alimentato a 3,3 o a 5V
con tolleranza termica da -55 a +125 °C, immunità
TID fino a 300 kRad e protezione rispetto ai fasci di
neutroni fino a 10+14 N/cm2. Il riferimento di tensio-
ne offre un’uscita stabilizzata di 2V e un consumo
massimo di 5 mW con un’immunità alle scariche
fino a 2 kV mentre il termometro eroga 1V stabili
con coefficiente di temperatura di 10 mV/°C. I con-
vertitori hanno fino a 8 canali con risoluzione di 14
bit e velocità di campionamento di 50k campioni al
secondo sugli ingressi singoli di 5V oppure differen-
ziali di 3,3V.
Memorie magnetoresistive
è pioniere nei compo-
nenti rad-hard che fabbrica con la tecnologia pro-
prietaria Silicon-On-Insulator CMOS in grado di
tollerare fino a 1 MRad di TID, nonché le radiazioni
di neutroni fino a 10+14 N/cm2 con un tasso SEU
inferiore a 10-15. Oggi la società offre con queste
caratteristiche componenti elementari come me-
morie Sram, resistenze, condensatori e transistor
DMOS e, inoltre, memorie magnetoresistive MRAM
certificate QML in Classe V nei tagli da 1, 16 e 64
MByte, Serdes con velocità fino a 3,125 Gbit al se-
condo, convertitori ADC con risoluzione di 12 e 14
bit e velocità di 3, 20 e 125 Mcampioni al secondo,
nonché circuiti Asic per applicazioni specifiche an-
che a segnali misti. Fra i nuovi dispositivi dichiarati
come totalmente immuni ai SEL si trovano l’ADC a
segnali misti HMXADC9246 in package CQFP a 48
pin alimentabile a 1,8 oppure a 3,3 V e il bus d’inter-
faccia HXBUSX18 con velocità di 100 MHz offerto in
package CQFP da 64 pin alimentato a 3,3 V.
Amplificatori e transistor
offre numerosi chip rad-hard certificati QML
Class V fra cui due nuovi amplificatori operazionali
rail-to-rail e un array di transistor tutti con immunità to-
tale ai SEL e protezione TID fino a 300 kRad nell’intero
range termico operativo che va da -55 a +125 °C. Il pri-
mo è nei due modelli ISL70219ASEH e ISL70419ASEH
con sopra due o quattro AO in package Hermetic Ce-
ramic Flatpack CFP a 10 o 14 pin, con consumo massi-
mo di 440 µA e serve per amplificare e stabilizzare gli
ingressi singoli da 4,5 a 36V oppure differenziali fino a
20V con prodotto guadagno*banda di 1,5 MHz, Slew
Rate di 0,5 V/µs, offset di tensione all’ingresso di ±110
µV e rumore in tensione limitato a 8 nV/√Hz. Nell’ISL-
70244SEH duale in package CFP a 10 pin aumentano
il range di tensione all’ingresso fra 2,7 e 42V e il pro-
dotto guadagno*banda a 19 MHz ma si alzano anche
lo Slew Rate a 60 V/µs, l’offset d’ingresso a ±400 µV e
il rumore a 11,3 nV/√Hz. Gli array di transistor erano
già prodotti per l’uso industriale ma ora sono rad-hard
nelle tre versioni ISL73096EH, con sopra tre NPN e
due PNP, ISL73127EH con cinque NPN e ISL73128EH
con cinque PNP. Singolarmente, gli NPN sono da 50V
con frequenza di taglio di 8 GHz e guadagno in corren-
te pari a 130, mentre i PNP sono da 20V con fT di 5,5
GHz e hFE pari a 60. Per tutti il package è CFP16 con
TID di 100 kRad.
Fotodiodi all’ultravioletto
fa parte del gruppo californiano
e dal 1981 si dedica allo sviluppo e alla
fabbricazione di componenti e dispositivi optoelettro-
nici soprattutto nella banda dell’ultravioletto che gioca
tech-focus CHIP RAD-HARD
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Fig. 4 – Il fotodiodo SXUV300C con area di 331 mm2 e il sensore di
posizione ODD-SXUV-DLPSD con area di 25 mm2 che Opto Diode
propone per lemisure nell’ultravioletto