POWER
HALF-BRIDGE
corrente di ritorno di potenza nella massa di piccolo
segnale). Numerose connessioni dai pin di massa dei
componenti di piccolo segnale verso la massa di poten-
za aggiungono delle induttanze parassite “invisibili” nel
circuito di controllo, che producono picchi di rumore
indesiderati ogni volta che elevate correnti scorrono
nella massa di potenza. Questi impulsi possono causare
commutazioni difettose, jitter o stress
elettrico aggiuntivo sui componenti o
ai pin dei circuiti integrati. Il circuito di
pilotaggio dei gate deve essere posto il
più vicino possibile ai MOSFET del semi
ponte al fine di ridurre le induttanze
parassite.
Ogni volta che i MOSFET sono accesi o
spenti, questa rete di induttanze e capa-
cità parassite dei MOSFET può produrre
delle risonanze ai gate, che possono
oscillare sotto la massa o sopra l’alimen-
tazione VCC.
Conseguentemente questo può portare
allo scorrimento di correnti elevate verso
o dai pin del circuito integrato di pilotag-
gio, producendone la distruzione a causa
del latch-up. Per applicazioni a correnti
elevate, è buona norma inserire dei diodi zener aggiun-
tivi dai gate verso i source di entrambi gli interruttori.
Questi aiutano a limitare l’escursione della tensione di
gate poco sotto la massa e poco sopra VCC. In figura 5
è mostrato un tipico layout del circuito a semi ponte di
figura 4, impiegante componenti a montaggio superfi-
ciale per illustrare le norme di realizzazione di un buon
circuito stampato.
Il circuito a semi ponte rappresenta una soluzione ade-
guata per molte applicazioni a commutazione che offre
numerosi vantaggi.
Tuttavia, questi benefici sono ottenibili solo quando il
circuito del semi ponte, il circuito di
pilotaggio dei gate e il relativo lay-
out sono progettati correttamente. Le
forme d’onda di tensione del nodo
centrale e di corrente in uscita devono
essere attentamente controllate per
verificare che la commutazione a ten-
sione nulla sia mantenuta durante tutte
le condizioni operative. La commu-
tazione brusca parziale o totale può
produrre elevate perdite di commuta-
zione e causare il surriscaldamento e
il danneggiamento degli interruttori.
Il circuito di pilotaggio dei gate deve
essere opportunamente dimensionato
in modo da adattarsi alla dimensioni
dei MOSFET da pilotare, all’ampiezza
della corrente e alla frequenza di lavo-
ro. Infine, molta cura va dedicata alla stesura del layout
al fine di evitare lunghi anelli nelle maglie che pilotano i
gate e dei collegamenti di massa inadeguati che posso-
no causare il latch-up del circuito integrato, interferen-
ze elettromagnetiche o commutazioni difettose.
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Il circuito a
semi ponte
rappresenta una
soluzione adegua-
ta per molte appli-
cazioni a commu-
tazione che offre
numerosi vantaggi
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