EMBEDDED
66 • NOVEMBRE • 2017
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HARDWARE
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INDUSTRIAL FLASH
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Data Care Management
per applicazioni industriali
Se la durata di vita delle memorie
flash è insufficiente la causa può
risiedere nel firmware
Ulrich Brandt
Direttore marketing
Swissbit
Fig. 1 – Una cella usurata dove gli elettroni accu-
mulati nello strato di ossido del tunnel causano il
graduale cambiamento della tensione di soglia. Le
microrotture nel tunnel di ossido inducono per-
corsi di corrente dispersa che permettono alla
carica di defluire. La lettura degli errori aumenta
al punto che un blocco può diventare difettoso, o
“bad block”, e deve essere cancellato
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Logoramento graduale
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