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66 • NOVEMBRE • 2017

64

HARDWARE

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INDUSTRIAL FLASH

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Data Care Management

per applicazioni industriali

Se la durata di vita delle memorie

flash è insufficiente la causa può

risiedere nel firmware

Ulrich Brandt

Direttore marketing

Swissbit

Fig. 1 – Una cella usurata dove gli elettroni accu-

mulati nello strato di ossido del tunnel causano il

graduale cambiamento della tensione di soglia. Le

microrotture nel tunnel di ossido inducono per-

corsi di corrente dispersa che permettono alla

carica di defluire. La lettura degli errori aumenta

al punto che un blocco può diventare difettoso, o

“bad block”, e deve essere cancellato

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Logoramento graduale

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