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XIV

Power

POWER 13 -

APRILE 2017

La disponibilità sul mercato di nuovi materiali per la re-

alizzazione di prodotti elettronici innovativi comporta

la richiesta di più avanzate caratteristiche per i dispo-

sitivi di conversione e gestione della potenza in gioco.

In particolare, questi ultimi devono avere un suppor-

to a elevata conducibilità di corrente associato a basse

perdite e una tecnologia di packaging atta a distribuire

il calore nel substrato in modo ottimale. In molte appli-

cazioni viene preferito l’impiego di componenti in die

form per ridurre l’ingombro e migliorare ulteriormen-

te le prestazioni finali.

Fra le tecnologie sviluppate per affrontare efficacemente

le problematiche termiche e meccaniche dei circuiti di

potenza si può segnalare, ad esempio, quella a substrato

metallico isolato (IMS, Insulated Me-

tal Substrate) proposta da Neohm, in

cui la superficie del circuito di poten-

za viene incollata al substrato isolato,

che potrebbe essere un circuito stam-

pato di basso spessore su cui è possi-

bile effettuare il montaggio superfi-

ciale dei componenti, dei connettori

ed eventualmente il wire bonding di

componenti in die form.

Prima di passare a una breve rassegna

di alcune fra le più recenti novità di

prodotto è forse utile richiamare le

principali tipologie di questi dispositivi.

Tipologie di componenti discreti di potenza

Una classificazione dei prodotti elettronici di potenza

attualmente disponibili sul mercato li raggruppa in dio-

di, tiristori e raddrizzatori controllati.

I diodi vengono accesi o spenti con il controllo di un

circuito di potenza esterno e comprendono, a loro volta

diverse categorie di prodotti:

• diodi

Line Frequency

, caratterizzati solitamente da

una tensione di blocco inversa elevata (6 ÷ 7 kV) e da

alte correnti dirette (5 ÷ 6 kA), con piccole cadute in

conduzione;

• diodi

Fast Recovery

, che presentano valori minori per

la tensione di blocco inversa (inferiore al kV) e per la

corrente in conduzione (inferiori al kA), ma sono più

veloci;

• diodi

Schottky

, che presentano buona velocità e mini-

me cadute dirette (circa 0,3V), ma basse tensioni di bloc-

co inverse (100V) ed elevate correnti di perdita inversa.

I tiristori sono diodi controllati (SCR, Silicon Control-

led Rectifier), composti da tre giunzioni p-n. La loro

accensione è controllata dal segnale di comando di un

apposito terminale (gate). Nello stato inverso si com-

portano come diodi, mentre nel

caso di polarizzazione diretta il loro

comportamento possono condurre

solo se arriva un impulso in gate. Un

importante parametro è la corrente

di holding (ih), definita come la mi-

nima corrente diretta che mantiene

il tiristore in conduzione. Sotto tale

valore il componente si porta nella

condizione di blocco diretto. Per di-

sattivare un tiristore è necessario un

apposito circuito di spegnimento.

Il tiristore è un componente lento

e non può essere utilizzato con fre-

quenze superiori a 1 kHz.

Combinando due tiristori in configurazione antiparal-

lela si ottiene il TRIAC, un componente caratterizzato

da una caratteristica statica antisimmetrica che raggiun-

ge una tensione di blocco di 1.500V con una corrente

di 100A. Il TRIAC, che presenta – come i tiristori – un

basso limite per la frequenza di commutazione, è molto

usato nei variatori di tensione per illuminazione.

Per poter disattivare mediante un semplice segnale

esterno un componente di potenza controllato, oltre

Andrea Cattania

Componenti discreti

di potenza

Nell’attuale scenario di mercato i circuiti elettronici di potenza devono avere una

precisione sempre più elevata per garantire le prestazioni e le caratteristiche dei nuovi

prodotti che il costante miglioramento delle tecnologie consente di realizzare

Fig. 1

– L a serie di MOSFET di potenza da 800V

CoolMOS P7 di Infineon è particolarmente indi-

cata per applicazioni SMPS a bassa tensione