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POWER 10 - MARZO 2016
VIII
Power
POI sottosistemi di potenza per applicazioni RF im-
pulsive (pulsed RF) devono essere caratterizzati da
una risposta veloce ai transitori della corrente di ca-
rico. In particolare, è necessario assicurare la stabilità
della tensione di uscita durante le escursioni a elevata
velocità della forma d’onda della corrente al fine
di minimizzare la distorsione della forma d’onda
indotta dall’alimentazione: si tratta di un fattore
critico per ottimizzare le prestazioni dei canali RF.
Scopo del presente articolo è dimostrare come sia
possibile utilizzare un “mix and match” di com-
ponenti di potenza per creare unità personaliz-
zate in grado di adattarsi a un’ampia gamma di
esigenze di carico e di sorgenti di alimentazione,
ottimizzando i risultanti sottosistemi di potenza in
termini di dimensioni, peso e consumi (SWP).
Non sono molte le apparecchiature elettroniche
che hanno richieste cosi impegnative nei riguardi
dei sistemi di alimentazione come i trasmettitori
RF. Ciò è particolarmente vero nei sistemi odierni
dove, virtualmente, tutti i segnali della trasmissio-
ne trasportano informazioni codificate in digitale
sotto forma di burst (raffiche) di dati codificati
con complesse tecniche di modulazione – molto
diverse quindi dalle onde analogiche continue
dei segnali audio o video del passato.
I settori di applicazione di questi sistemi possono
essere suddivise in tre aree principali. All’estremo
superiore delle applicazioni più severe in termini di
consumo di potenza vi sono radar e sistemi militari
che producono interferenza RF utilizzati dalle Forze
Armate per stabilire zone sicure in scenari di guerra.
Questi possono variare dai sistemi installati in veicoli
terrestri, con uscite dell’ordine di 1 kW, agli “jamming
array” montati su aerei con potenze complessive di
uscita dell’ordine anche di centinaia di kilowatt.
Sebbene i sistemi di interferenza installati a bordo dei
Chester Firek
VicorSottosistemi di potenza
per applicazioni RF impulsive:
il problema dei transitori
Grazie a un “mix and match” di componenti di potenza è possibile creare unità
personalizzate in grado di adattarsi a un’ampia gamma di esigenze di carico e di sorgenti
di alimentazione
Fig. 1 - Con una sovrapposizione significativa, cinque di-
verse tecnologie a semiconduttore competono per la rea-
lizzazione di socket per amplificatori di potenza RF in varie
applicazioni, a seconda delle esigenze di alimentazione e
di spettro (grafico: per gentile concessione di RFMD)