Winbond espande la produzione di SDRAM DDR3

Winbond Electronics ha introdotto alcuni miglioramenti alla sua linea di memorie DDR3 destinati a incrementare le prestazioni in termini di velocità.

La roadmap della società prevede memorie SDRAM DDR3 con capacità da 1 a 4 Gb, DDR2 da 128Mb a 2 Gb, LP-DDR2 da 512 Mb a 2 Gb, oltre a SDRAM LP-DDR4x, LP-DDR3, LP-DDR destinate ad applicazioni che richiedono DRAM con densità uguale a inferiore a 4 Gb.

A partire dal quarto trimestre di quest’anno, inoltre, Winbond aumenterà la capacità produttiva di wafer della propria fabbrica di Kaohsiung (Taiwan).

Attualmente le memorie DDR3 contribuiscono al 30% del fatturato totale derivato dalle vendite di memorie DRAM, quota destinata al salire al 50% entro il 2024.

“Da un decennio Winbond fornisce prodotti DDR3 estremamente competitivi – ha sottolineato un portavoce della società – e continuerà a perseguire questa strategia anche nei prossimi 10 anni e oltre, garantendo un supporto ai clienti e una qualità dei prodotti sicuramente superiori. I nostri clienti continuano a richiedere SDRAM DDR3 e il nostro obiettivo è proseguire nel solco di una tradizione consolidata per soddisfare al meglio l’esigenza di longevità espressa dai clienti”.

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