Winbond and Infineon extend collaboration with double bandwidth HyperRAM 3.0 - Elettronica Plus

Winbond and Infineon extend collaboration with double bandwidth HyperRAM 3.0

Posted 19 aprile 2022

Winbond Electronics with Infineon Technologies have announced the expansion of their HYPERRAM product collaboration with the new higher bandwidth HYPERRAM 3.0.

The HYPERRAM product range offers compact alternatives to traditional pseudo-SRAM and is well-suited to low power, space-constrained IoT applications that require an off-chip external RAM. HYPERRAM 3.0 operates at a maximum frequency of 200MHz with a 1.8V operation voltage, which is the same as both HYPERRAM 2.0 and OCTAL xSPI RAM, but with an increased data-transfer rate of 800MBps – double the rate that was previously available. The new generation HYPERRAM operates via an expanded IO HyperBus interface with 22 pins.

The HYPERRAM family is ideal for low-power IoT applications, such as wearables, instrument clusters in automotive applications, infotainment and telematics systems, industrial machine vision, HMI displays and communication modules.

The first member of the HYPERRAM 3.0 family will be a 256Mb device in a KGD, WLCSP Package, which can be implemented at the component level, module level or PCB level based on the end product type.



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