Toshiba: nuova generazione di array di transistor - Elettronica Plus

Toshiba: nuova generazione di array di transistor

Pubblicato il 29 marzo 2016

Toshiba Electronics Europe ha annunciato il lancio di una nuova generazione di array di transistor ad alta efficienza, i primi sul mercato dotati di circuito di pilotaggio con DMOS FET e uscita di tipo source. La nuova serie TBD62783A è l’erede naturale della serie di array di transistor bipolari TD62783, rispetto alla quale abbatte le perdite di potenza di circa il 40%, e può essere utilizzata in una vasta gamma di applicazioni come i circuiti di pilotaggio per LED.

Toshiba introdurrà inoltre la serie di driver DMOS FET con uscita di tipo sink TBD62083A, come evoluzione della serie di array di transistor bipolari TD62083, che è stata progettata per rispondere alle esigenze di applicazioni come il pilotaggio di motori, relè e LED.

I progettisti richiedono sempre più spesso che apparecchiature come alimentatori e semplici controlli ON/OFF siano in grado di combinare circuiti con uscita di tipo source insieme a circuiti con uscita di tipo sink. Con la presentazione di questi nuovi dispositivi, Toshiba offre un array di transistor DMOS FET per entrambi i tipi di uscite.

I nuovi dispositivi lavorano senza corrente di base, riducendo così le correnti di ingresso. Grazie anche alla possibilità di accettare elevate densità di corrente mantenendo bassa la resistenza di conduzione, i dispositivi DMOS FET aumentano l’efficienza e garantiscono ridotte perdite di potenza.

Tutti i dispositivi supportano un pilotaggio con elevati valori di tensione e di corrente e un’uscita massima pari a 50V / 0,5A.

I dispositivi sono disponibili in diversi tipi di contenitore, tra cui SOP18, DIP18 e SOL18 per montaggio superficiale e SSOP18 (passo di 0,65 mm) per gli impieghi in spazi ristretti.

Per raggiungere gli elevati livelli di integrazione di questi dispositivi, Toshiba ha utilizzato la nuova tecnologia BiCD, considerata dall’azienda la tecnologia di riferimento del futuro per i circuiti integrati analogici standard a 8 pollici, che rappresenta la dimensione di wafer più ampiamente utilizzata nella produzione industriale di massa.

pb



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