Toshiba amplia la gamma di Mosfet di potenza

Toshiba Electronics Europe ha realizzato un nuovo Mosfet di potenza a canale N da 80 V destinato ad applicazioni come per esempio alimentatori industriali switching ad alta efficienza integrati in data center e stazioni base di comunicazione.

Il Mosfet, siglato TPM1R408RH, è basato sulla più recente tecnologia di processo U-MOS11-H di Toshiba e combina un valore di RDS(ON) particolarmente basso con elevate prestazioni di commutazione. Toshiba precisa che il nuovo Mosfet offre una RDS (ON) pari a 1,4 mΩ (max.), in corrispondenza di una tensione al gate source (VGS) di 10 V e di una corrente di drain (ID) di 50 A.

TPM1R408RH supporta una tensione drain-source di 80 V e una corrente di drain massima (ID) di 288 A (Tc = 25 °C), che lo rende adatto per applicazioni industriali ad alta corrente. Il dispositivo è alloggiato nel package compatto SOP Advance(E) di Toshiba, che riduce la resistenza del package di circa il 65 % e la resistenza termica di circa il 15 % rispetto al package SOP Advance(N) esistente.

Toshiba offre inoltre tool a supporto della progettazione circuitale degli alimentatori switching. Accanto al modello G0 Spice, che verifica rapidamente la funzionalità del circuito, sono ora disponibili i modelli G2 Spice altamente accurati che riproducono le caratteristiche nei transitori.

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