Toshiba Electronics: nuova generazione di MOSFET per apparecchiature alimentate a batteria

Toshiba Electronics Europe ha presentato una nuova generazione di MOSFET a media potenza per la gestione dei circuiti di alimentazione dei dispositivi portatili. Gli ultracompatti transistor MOSFET SSM3J13xTU soddisfano i requisiti di commutazione a bassa potenza, alta velocità e alta corrente dei circuiti di alimentazione periferici, in applicazioni come telefoni cellulari, fotocamere digitali e altre apparecchiature alimentate a batteria.

Realizzati con la tecnologia di processo Toshiba U-MOSVI a canale P, i MOSFET SSM3J133TU, SSM3J134TU e SSM3J135TU hanno una corrente di drain nominale (I_D) pari rispettivamente a -5,5 A, -3,2 A e -3,0 A. Tutti i dispositivi hanno una tensione nominale tra drain e source (V_DSS) pari a 20 V e una tensione nominale tra gate e source (V_GSS) pari a ±8 V. Oltre alla tensione massima tra gate e source, i MOSFET presentano una tensione di soglia di gate (V_th) non superiore a 1,0 V, il che permette di avere commutazioni stabili già a partire da 1,5 V. Grazie a queste commutazioni a bassa tensione, i dispositivi SSM3J133TU, SSM3J134TU e SSM3J135TU sono l’ideale per realizzare alimentatori di tipo switching.

I nuovi MOSFET a canale P garantiscono valori ottimali di efficienza e velocità di commutazione grazie a un design che riduce al minimo la resistenza di conduzione (R_DS(ON)) e la capacità di ingresso (C_iss). Poiché i modelli SSM3J133TU, SSM3J134TU e SSM3J135TU offrono diversi valori nominali di (R_DS(ON))  e C_iss, i progettisti hanno la possibilità di scegliere il dispositivo ottimale per la propria applicazione: SSM3J133TU, con la (R_DS(ON)) più piccola, per ridurre le perdite, oppure SSM3J135TU, con la C_iss più piccola, per aumentare la velocità di funzionamento. Il modello SSM3J134TU offre invece un buon compromesso tra perdite e velocità di commutazione. Oltre a questi tre MOSFET, il modello SSM3J132TU presenta una (R_DS(ON)) non superiore a 98 mohm una tensione tra gate e source di 1,2 V.

Tutti i nuovi MOSFET sono forniti in contenitori UFM a montaggio superficiale che occupano un’area di appena 2,0 mm x 2,1 mm, con uno spessore di soli 0,7 mm. Grazie al design piatto, questo contenitore può dissipare una potenza di 500 mW, con lo stesso ingombro superficiale del classico SOT-323.

Contenuti correlati

• 
  I nuovi Mosfet Super Junction da 600 V di Rohm

  Rohm  ha ampliato la gamma di Mosfet Super Junction da 600 V con due nuove serie, siglate rispettivamente R60xxXNx e R60xxWNx. Una peculiarità interessante è che l’azienda propone questi componenti in un package per montaggio superficiale dalle elevate...
• 
  Package innovativo per il nuovo Mosfet di AOS

  Alpha and Omega Semiconductor (AOS) ha presentato AOPL66801, un Mosfet a 80 V caratterizzato da un package innovativo. Il nuovo componente utilizza infatti un DFN6x5 AmpStack, basato su una tecnologia a die stacked che consente la realizzazione...
• 
  Toshiba amplia la gamma di Mosfet di potenza

  Toshiba Electronics Europe ha realizzato un nuovo Mosfet di potenza a canale N da 80 V destinato ad applicazioni come per esempio alimentatori industriali switching ad alta efficienza integrati in data center e stazioni base di comunicazione....
• 
  Nove Mosfet di potenza da Toshiba

  Toshiba ha aggiunto alla sua offerta di Mosfet di potenza nove dispositivi disponibili in tre tipi di package a elevata dissipazione di calore. La nuova gamma utilizza infatti i package SOT-23F, TSOP6F e UDFN6B e sono destinati a...
• 
  Rohm amplia l’offerta di Mosfet per automotive

  Sono destinati ai sistemi di alimentazione in ambito automotive i nuovi Mosfet della serie AG16xFNxx di Rohm. Si tratta di componenti da 80V progettati per i sistemi di alimentazione a 48 V che si stanno affermando come...
• 
  Toshiba: Mosfet a 80 V per automotive

  I Mosfet XPH2R608QB e XPH3R908QB di Toshiba sono componenti a canale N da 80 V conformi allo standard AEC-Q101, che espandono la gamma a supporto dei sistemi automotive a 48 V. Questi prodotti sono realizzati utilizzando il...
• 
  Nuovi Mosfet EcoSiC da Rohm

  Rohm  ha sviluppato, nell’ambito della serie EcoSiC,  Mosfet SiC di quinta generazione ottimizzati per applicazioni di potenza ad alta efficienza. Il produttore precisa che questa tecnologia è particolarmente adatta per i sistemi di powertrain elettrici nel settore automotive,...
• 
  Nuova tecnologia per i Mosfet di Toshiba

  Toshiba Electronics Europe ha sviluppato un Mosfet a canale N da 40 V basato sul processo produttivo U-MOS11-H di ultima generazione. Il dispositivo, siglato TPHR6704RL, è ottimizzato per l’impiego negli alimentatori a commutazione utilizzati nei data center,...
• 
  Diodes amplia l’offerta di Mosfet per automotive

  Diodes ha aggiunto al suo portfolio di Mosfet a canale N con package PowerDI8080-5 conformi agli standard automotive un componente da 100 V con una resistenza RDS(ON) particolarmente bassa. Questo Mosfet è stato introdotto insieme a nuovi...
• 
  Sette nuovi Mosfet a super giunzione da Toshiba

  Toshiba ha esteso la sua serie di Mosfet Dtmosvi 600 V con struttura a super giunzione con i nuovi componenti a canale N Dtmosvi 600 V HSD (con diodo ad alta velocità). Si tratta di sette nuovi...